CoolGaN™ BDS 650V G5 雙向開關。這款基於氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑藉其卓越的性能和創新的設計，正成為高效電力轉換領域的明星產品。 核心技術規格 電壓等級 650V，能夠滿足多種高壓應用場景的需求。 導通電阻 不同型號的導通電阻範圍從80mΩ到240mΩ不等，具體取決於

英飛凌推出650V CoolGaN™ G5雙向開關，提升電力系統的效率和可靠性 英飛凌推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵（GaN）開關——650V CoolGaN™ G5 雙向開關（BDS）。該產品採用共漏極設計和雙柵極結構，是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管（GIT）技術和CoolGaN

新品 TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管 第五代CoolGaN™ 650V G5氮化鎵功率晶體管可在高頻工作條件下顯著提升能效，符合業界最高品質標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增採用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創新設

在當今快速發展的電子技術領域，電源轉換效率和功率密度的提升一直是工程師們追求的目標。英飛凌的CoolGaN™晶體管以其卓越的性能，為實現這一目標提供了強大的支持。本應用手冊將詳細介紹如何利用60-200 V等級的CoolGaN™晶體管設計一個高效的半橋DC-DC轉換器幫助電力電子設計工程師在低壓/中

英飛凌推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款整合肖特基二極體的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗，提高電力系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該整合解決方案還簡化了功率級設計，降低了材料成本。 集成肖特基二極體的CoolGaN™ G5晶體管 在硬切

由於市場對音訊設備的緊湊、輕便、高整合度以及節能需求日益增加，領先的音訊設備製造商在不斷提升音質的同時，也努力滿足這些需求。此外，他們還必須實現無縫連接、確保成本效益，並提供對使用者友善的功能，這使得音訊產品的開發變得更加複雜。 為了解決這些難題，SounDigital在其全新1500W D類放大器

氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子元件性能方面扮演著至關重要的角色。然而，目前為止，GaN供應商所採用的封裝類型和尺寸各不相同，產品相當分散，導致客戶缺乏能兼容多種封裝的貨源。 為了解決這個問題，英飛凌推出採用RQFN 5x6封裝的CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和採用

高壓（HV）氮化鎵（GaN）電晶體的快速開關能力給PCB的布局帶來了挑戰。本文通過解釋幾個重要概念，幫助用戶了解PCB的布局挑戰，也將探討幫助用戶優化布局、實現最佳的整體電氣性能和熱性能的策略。 掃描文末二維碼，立即下載《優化HV CoolGaN™功率電晶體的PCB布局-關於在開關電源（SMPS）應

 本文作者  作者 Franz Stueckler  英飛凌科技高級首席工程師 Tamara Fallosch  英飛凌科技高級經理 校對  宋清亮 英飛凌科技大中華區消費、計算與通訊業務高級首席工程師 英飛凌於近日宣布不再支持第一代（G1）CoolGaN™技術用於新設計，此舉曾引發外界對其矽基氮化

高壓CoolGaN™ GIT HEMT（高電子遷移率電晶體）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN™技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了英飛凌用於驗證CoolGaN™器件的四個方面的流程。   矽的故障機制清晰，驗證方法非常成熟，但傳