TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

 新品 

TOLL和DFN封裝CoolGaN™ 650V G5第五代氮化鎵功率晶體管

第五代CoolGaN™ 650V G5氮化鎵功率晶體管可在高頻工作條件下顯著提升能效，符合業界最高品質標準，助力打造兼具超高效率與卓越可靠性的設計方案。該系列產品現已新增採用底部冷卻技術的TOLL和DFN封裝，其創新設計可降低各類工業及消費電子應用中的功率損耗。

產品型號：

■ IGT65R025D2ATMA1

■ IGT65R035D2ATMA1

■ IGT65R045D2ATMA1

■ IGT65R055D2ATMA1

■ IGT65R140D2ATMA1

■ IGLD65R055D2AUMA1

■ IGLD65R080D2AUMA1

■ IGLD65R110D2AUMA1

■ IGLD65R140D2AUMA1

 產品特點 

• 650V增強型功率晶體管
• 超快開關速度
• 無反向恢復電荷
• 支持反向導通
• 低閘極電荷與低輸出電荷
• 卓越的換向魯棒性
• 動態導通電阻（RDS(on)）極低
• 高ESD防護能力：2kV人體放電模型（HBM）-1kV元件充電模型（CDM）
• 底部散熱封裝
• 通過JEDEC認證（JESD47/JESD22標準）

 應用價值 

• 支援高頻工作模式
• 實現系統最高效能
• 賦能超高功率密度設計
• 降低BOM成本

 應用領域 

• 電信基礎設施AC-DC電源轉換
• 計算和資料存儲
• 電動車充電系統
• 工業電源
• 光伏
• 變流器
• USB-C轉接器與充電器

掃描下方 QR 碼,了解更多產品資訊！

掃描二維碼，關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品資訊