芯聞速遞 | 英飛凌推出650V CoolGaN™ G5雙向開關;推出全新緊湊型CoolSET™封裝系統(SiP)

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   英飛凌推出650V CoolGaN™ G5雙向開關,提升電力系統的效率和可靠性

 

英飛凌推出了一款能夠主動雙向阻斷電壓和電流的氮化鎵(GaN)開關——650V CoolGaN™ G5 雙向開關(BDS)。該產品採用共漏極設計和雙柵極結構,是一款使用英飛凌強大柵極注入晶體管(GIT)技術和CoolGaN™技術的單片雙向開關,能夠有效取代轉換器中常用的傳統背靠背開關。

650 V CoolGaN™ G5 雙向開關

 

這款CoolGaN™雙向開關能夠為功率轉換系統帶來多項關鍵優勢。它透過將兩個開關整合到一個元件中,簡化了循環轉換器拓撲結構的設計,實現了單級功率轉換,無需多個轉換級。這項設計不僅提升了效率和可靠性,還更加緊湊。基於BDS的微型逆變器還能提高功率密度,減少元件數量,從而簡化製造過程並降低成本。此外,該產品還支援先進的電網功能,例如無功功率補償和雙向操作等。

 

因此,該解決方案在多個應用領域擁有巨大的潛力,包括:

 

微型逆變器

這款CoolGaN™雙向開關使微型逆變器的設計變得更加簡單、高效,從而縮小了尺寸,降低了成本,讓微型逆變器更適用於住宅和商業太陽能裝置。

 

儲能系統(ESS)

這款開關可在電池充放電等ESS應用中提升能量儲存與釋放的效率及可靠性。

 

電動車(EV)充電

這款BDS開關可提升電動汽車充電系統的充電速度與效率,同時還能實現車輛到電網(V2G)功能,讓汽車電池中儲存的能量能夠回饋至電網。

 

電機控制

CoolGaN™ BDS 非常適用於工業馬達驅動器的電流源逆變器(CSI)。與傳統的電壓源逆變器(VSI)相比,CSI 具有以下優點:

  • 產生正弦輸出電壓,從而支援更長的電纜敷設路徑、降低損耗並提高容錯能力。
  • 使用電感器取代直流鏈路電容器,增強高溫性能和短路保護能力。
  • 在部分負載下效率更高,電磁干擾更低,固有的升降壓能力可應對電壓變化,並且可擴展至並聯運行。

 

這些特性使CSI成為更加穩健、高效的工業馬達應用控制方案。

 

AI資料中心

在 AI 伺服器電源中,CoolGaN™ 等雙向開關可支援維也納整流器和 H4 PFC 等架構的更高開關頻率和功率密度。一個 CoolGaN™ BDS 可取代兩個傳統開關,從而減少元件數量、控制成本、縮小尺寸並降低整體功率損耗。

 

供貨情況

650 V CoolGaN™ G5 雙向開關(BDS)和 110 mΩ 產品樣品現已開放訂購。了解更多資訊,請點擊這裡。

 

 

   英飛凌推出全新緊湊型CoolSET™封裝系統(SiP),可在寬輸入電壓範圍內提供最高60W高效功率輸出

 

英飛凌推出新型CoolSET™封裝系統(SiP)。這款緊湊的全集成式系統功率控制器可在85-305 VAC通用輸入電壓範圍內提供最高60 W高效功率輸出。系統中的高壓 MOSFET 採用小型 SMD 封裝,擁有低 RDS(ON) 且無需外部散熱器,從而縮小了系統尺寸並降低了複雜性。CoolSET™ SiP 支援零電壓切換(ZVS)反激式操作,在實現低切換損耗和低 EMI 特性的同時,提高系統可靠性和穩健性。這使其成為大型家用電器和 AI 伺服器等應用的理想解決方案。此外,這款控制器使開發者更容易滿足嚴格的能源標準,幫助他們設計開發出與時俱進的最新功率解決方案。

CoolSET™ SiP DSO-27-1 組合

 

CoolSET™ SiP整合了一個950V高壓啟動單元、一個800V高耐壓超級結MOSFET、一個ZVS初級反激式控制器、一個次級側同步整流(SR)控制器,以及透過英飛凌專有技術CT Link實現的強化隔離通信。這項高度整合化的設計顯著減少了分立元件的數量、降低了材料成本,並大幅縮減了所需的PCB空間,為開發更複雜的終端產品提供了支持。其全面且先進的保護功能簡化了系統整合,協助設計人員更靈活地優化解決方案,提升整體使用者體驗。

 

供貨情況

現在可以訂購英飛凌CoolMOS™封裝系統(SiP)產品樣品。了解更多資訊,請點擊這裡。

 

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參考來源

英飞凌官微: https://mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzIwMzQ1MjU2NA==&mid=2247586263&idx=4&sn=b63753350a42b7b27ce7d916fdf33f7e&chksm=96cce82ca1bb613af7369f0336988eb9ae12694c6787c39fe60db399e6112d5cc2f561947708#rd

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