CoolGaN™ BDS 650V G5 雙向開關。這款基於氮化鎵（GaN）技術的單片雙向開關，憑藉其卓越的性能和創新的設計，正成為高效電力轉換領域的明星產品。
核心技術規格
電壓等級
650V，能夠滿足多種高壓應用場景的需求。
導通電阻
不同型號的導通電阻範圍從80mΩ到240mΩ不等，具體取決於產品型號。
開關頻率
支援高頻操作，最高可達2MHz，這使得它在高頻應用中表現出色。
封裝形式
採用頂部散熱的封裝設計，例如TOLT-16L，這種設計有助於提升散熱效率，確保在高功率密度應用中的穩定性。
技術優勢
雙向阻斷能力
CoolGaN™ BDS 650V G5能夠在兩個方向上阻斷電壓和電流這在傳統的背靠背單向開關中是難以實現的。
整合設計
透過單片整合兩個開關，大幅縮小了晶片尺寸和系統複雜性，同時也降低了成本。
低開關損耗
由於其低閘極和輸出電荷特性，CoolGaN™ BDS 650V G5 能夠顯著減少開關損耗，提升系統效率。
高功率密度
支援更高的功率輸出，同時實現更緊湊的系統設計，這對於空間受限的應用場景非常有利。
應用場景
太陽能微型逆變器
在太陽能微型逆變器中，CoolGaN™ BDS 650V G5能夠實現無需直流母線電容的單級隔離拓撲例如循環轉換器和矩陣型轉換器，取代了傳統基於背靠背單向開關的設計。這種設計不僅提高了效率和功率密度，還具備升降壓能力和雙向功率流動。
伺服器和電信
在伺服器和電信領域，維也納型轉換器（如維也納整流器、H4 PFC 和單相維也納）因其簡單性和低元件數量而被廣泛使用。這些拓撲結構透過採用 CoolGaN™ BDS HV，取代現有的背靠背開關，設計人員可以輕鬆實現更高的開關頻率，並透過減小被動元件尺寸來提升功率密度。
數據中心SMPS
基於半橋硬開關和軟開關拓撲的圖騰柱PFC和高頻LLC，CoolGaN™ BDS 650V G5能夠顯著提升系統的效率和功率密度。
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CoolGaN™ BDS 650V G5 是英飛凌在氮化鎵技術領域的一次重大創新。它以其卓越的性能和廣泛的應用前景，為電力轉換的未來發展提供了無限可能。開啟高效電力轉換的新時代。
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