英飛凌推出CoolGaN™ G5中壓晶體管，它是全球首款整合肖特基二極體的工業用氮化鎵（GaN）功率晶體管。該產品系列通過減少不必要的死區損耗，提高電力系統的性能，進一步提升整體系統效率。此外，該整合解決方案還簡化了功率級設計，降低了材料成本。
集成肖特基二極體的CoolGaN™ G5晶體管
在硬切換應用中，由於GaN元件的有效體二極體電壓（VSD）較高，基於GaN的拓撲結構可能會產生較高的功率損耗。如果控制器的死區時間較長，這種情況會更加嚴重，導致效率低於目標值。目前功率元件設計工程師通常需要將外部肖特基二極體與GaN晶體管並聯，或者透過控制器縮短死區時間。然而，無論採用哪種方法，都需要額外耗費精力、時間和成本。而英飛凌新推出的 CoolGaN™ G5 晶體管是一款整合了肖特基二極體的 GaN 晶體管，能顯著緩解此類問題，適用於伺服器和電信中間總線轉換器（IBC）、DC-DC轉換器、USB-C電池充電器的同步整流器、高功率電源（PSU）以及馬達驅動等應用場景。
隨著GaN技術在功率設計中的應用日益廣泛，英飛凌意識到需要不斷改進和提升這項技術，才能滿足客戶不斷變化的需求。此次推出的整合肖特基二極體的CoolGaN™ G5晶體管，體現了英飛凌致力於加速以客戶為中心的創新步伐，進一步推動寬禁帶半導體材料的發展。
Antoine Jalabert，英飛凌科技中壓GaN產品線副總裁
由於缺乏體二極體，GaN 晶體管的反向導通電壓（VRC）取決於閾值電壓（VTH）和關斷態下的閘極偏置電壓（VGS）。此外，GaN 晶體管的 VTH 通常高於矽二極體的導通電壓，這就導致了在反向導通工作（也稱為第三象限）期間的劣勢。因此，採用這種新型CoolGaN™ 晶體管後，反向導通損耗降低，能與更多高邊柵極驅動器相容，且由於死區時間放寬，控制器的相容性變得更廣，顯著簡化設計。
首款集成肖特基二極體的GaN晶體管為採用3 x 5 mm PQFN封裝的100 V 1.5 mΩ晶體管。
供貨情況
工程樣品和目標數據表可依需求提供。
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