高壓CoolGaN™ GIT HEMT（高電子遷移率電晶體）可靠性和驗證的白皮書共33頁，被翻譯成中文和日文，主要介紹了英飛凌如何實現CoolGaN™技術和器件使用壽命，且大幅超過標準的規定，詳細闡述了英飛凌用於驗證CoolGaN™器件的四個方面的流程。
矽的故障機制清晰，驗證方法非常成熟，但傳統的矽驗證工藝無法直接應用於GaN技術產品，因為GaN器件的材料和結構特性與矽器件有顯著差異。
我們對目標應用條件下矽器件的故障機制已經很清楚，這包括TDDB（發生在矽器件柵極氧化物中）、疲勞表征、電遷移（由導體中的高電流密度導致）和腐蝕（由濕度和偏壓導致）。儘管其中大半也發生於GaN器件，但在驗證GaN器件時，還需加入更多條件。GaN器件需要新的驗證方案來確保其在實際應用中的可靠運行，特別是在高電壓、高頻率和高溫度條件下。
為此白皮書重點介紹了驗證GaN器件的四個方面的流程：
- 應用概況：了解器件在特定應用中的應力條件，包括電壓、電流、溫度和濕度等，以及預期的工作壽命和質量要求。
- 質量要求概況：收集應用的一般描述、目標使用壽命、最大允許累積故障率、ESD額定值等參數。
- 開發過程中的可靠性研究：通過Weibull圖等工具分析故障數據，區分內在故障和外在故障，並通過工藝和設計變更減少外在故障。
- 退化模型：開發關鍵故障模式的退化模型，如DC偏置和開關SOA模型，動態導通電阻，以預測器件在使用壽命內的故障率。
白皮書以通訊電源為例，分析了在圖騰柱、硬開關PFC拓撲中使用時，如何滿足典型的工業使用壽命和質量（累積故障率）目標。
白皮書最後提出CoolGaN™ HEMT作為通用的功率開關，在各種拓撲中的應用條件和建議。
《高壓CoolGaN™ GIT HEMT的可靠性和鑑定---CoolGaN™技術和器件如何大幅超出標準使用壽命要求》目錄一覽：
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