氮化鎵（GaN）技術在提升功率電子元件性能方面扮演著至關重要的角色。然而，目前為止，GaN供應商所採用的封裝類型和尺寸各不相同，產品相當分散，導致客戶缺乏能兼容多種封裝的貨源。
為了解決這個問題，英飛凌推出採用RQFN 5x6封裝的CoolGaN™ G3 100V (IGD015S10S1) 和採用RQFN 3.3x3.3封裝的CoolGaN™ G3 80V (IGE033S08S1) 高性能GaN晶體管。
CoolGaN™ G3 100V 晶體管與 WRTFN-9-2 組合
這兩款新器件兼容業界標準的矽MOSFET封裝，滿足客戶對標準化封裝、更易處理以及加快產品上市速度的需求。
Antoine Jalabert 博士
英飛凌科技中壓氮化鎵產品線負責人
CoolGaN™ G3 100V 晶體管元件將採用 5x6 RQFN 封裝，典型導通電阻為 1.1mΩ；CoolGaN™ G3 80V 將採用 3.3x3.3 RQFN 封裝，典型電阻為 2.3mΩ。這兩款晶體管的封裝首次讓客戶可以採取簡便的多來源採購策略以及與矽基設計形成互補的佈局，而新封裝與GaN組合帶來的低電阻連接和低寄生效應能夠在常見封裝中實現高性能晶體管輸出。
此外，這種晶片與封裝組合擁有更大的暴露表面積和更高的銅密度，使熱量得到更好的分布和散發，因此不僅能提高熱傳導性，還具有很高的熱循環穩定性。
供貨情況
採用RQFN封裝的IGE033S08S1和IGD015S10S1 GaN晶體管樣品將從2025年4月開始提供。
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