功率MOSFET管的閾值電壓VGS(th)，在數據表中定義的測量條件為：VDS=VGS，ID=250uA，對應測試電路如圖1所示。                                                                                    

低導通電阻和快速開關特性的MOSFET廣泛應用於開關模式電源和電動自行車、電動汽車、電動工具及電動割草機的電動驅動器。在這些高功率應用中，通常需要多個並聯的MOSFET以增加電流能力並提高效率。 有多個因素影響將MOSFET並聯的效果。例如: 實際元件參數的變異、不對稱的閘驅動器以及不良的PCB佈局

隨著 AI 應用的快速發展，對高效能運算的需求日益增加，進而推升了電源供應器的功率需求。為了滿足這些高瓦特數的應用，MOSFET 並聯設計在電源模組中變得越來越普遍。本篇文章將以 TOSHIBA 的 MOSFET 並聯應用為例，說明並聯操作的基本原理，並深入探討因元件特性不一致所導致的電流不平衡問題

近年來，隨著汽車電子化的快速發展和電動汽車銷量的持續攀升，車載MOSFET市場增長迅速。在功率半導體技術不斷進步的推動下，車載MOSFET性能持續提升，器件的功率密度和可靠性越來越高，功耗也越來越低，為電動汽車的發展提供了強大動力。 另一個趨勢是，滿足電動汽車車載設備更大功耗的元器件的需求持續增加。

主要分享關於MOSFET中幾個關鍵溫度參數的計算方法：TJ（結溫）、TA（環境溫度）和TC（外殼溫度） 1. MOSFET溫度參數的重要性 在電力電子應用中，溫度是影響MOSFET性能和壽命的關鍵因素。過高的溫度會導致元件性能下降，甚至損壞。因此，了解和計算這些溫度參數對於確保MOSFET元件的穩定

隨著AI伺服器、工業自動化、儲能與電動車等高功率應用日益普及，傳統MOSFET封裝在熱管理、成本與可靠度方面逐漸面臨瓶頸。AOS推出的GTPAK封裝，透過頂部散熱架構、Kelvin Source 電氣去耦、海鷗翼引腳機構，從熱學、電氣與機械三面向全面創新，為高功率應用提供更高效、更可靠、更具成本效益

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體元件能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用中的高性能和高可靠性需求而設計，例如電動車充電器、光伏逆變器、不間

新品 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化矽功率元件 第二代750V CoolSiC™ MOSFET憑藉成熟的閘極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該元件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現

新品 面向光伏應用的Easy模組產品擴展 採用增強型第一代CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™ 1B半橋升壓拓撲，整合NTC溫度感測器並配備PressFIT針腳，為太陽能逆變器系統設計提供理想的一體化解決方案。 產品型號： ■ DF17MR12W1M1HF_B86 產品特點 Easy系

新品 650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET 英飛凌推出全新650V CoolMOS™ 8，引領全球高壓超結SJ MOSFET技術，為業界技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量，有助於滿足資料中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的需求。此外