功率MOSFET管的閾值電壓VGS(th)，在數據表中定義的測量條件為：VDS=VGS，ID=250uA，對應測試電路如圖1所示。                      
                                                                            
                                                                              
功率MOSFET管的柵極與源極之間加上正向驅動電壓VGS，在柵極表面形成正電場，柵極氧化層下面P區的電子就被吸引到P區的上表面；VGS電壓增加，P區內部更多電子被吸引到P區的上表面；正常條件下，P區多子是空穴，少子是自由電子，源極（外加電源負端）的自由電子無法從N型源極通過柵極氧化層下面P區流向N型漏極（外加電源正端），也就是電流無法從漏極通過柵極氧化層下面P區流向源極，如圖2所示。
                                                                        
VGS電壓繼續增加，柵極氧化層下面P區表面的薄層區域，自由電子的濃度繼續增加，自由電子的濃度增加到等於於空穴的濃度，如圖3所示。
                                                                        
VGS電壓進一步增加，柵極氧化層下面P區表面的薄層區域，自由電子的濃度大於空穴的濃度，那麼，在這個表面的薄層區域，從P型變成N型，就形成反型層，這樣，源極自由電子可以從N型源極通過柵極下面薄層反型層N型區流向N型漏極，電流從漏極通過柵極氧化層下面的反型層區流向源極，也就是在P區上表面的薄層區域形成電流導通（導電）溝道，如圖4、圖5所示。
                                                                          
                                                                        
                                                        
                                                                
從半導體物理學定義，閾值電壓VGS(th)應該為：在柵極氧化層下面、P阱區的上表面薄層區域，自由電子的濃度等於空穴的濃度時，對應的柵極驅動電壓。理論上，功率MOSFET管內部P阱區上表面薄層區域自由電子的濃度等於空穴的濃度時，VGS=VGS(th)，達到反型層形成的臨界條件，器件要開始導通，此時，漏極電流仍然為0。
但是，從明確的物理學定義，VGS從0開始增加、增加到功率MOSFET管內部P阱區上表面薄層區域自由電子的濃度等於空穴的濃度，漏極電流ID一直為0，這樣，無法確定，P阱區上表面薄層區域自由電子的濃度等於空穴的濃度時，VGS所對應的驅動電壓為多少，也就是無法確定閾值電壓VGS(th)到底為多少？
功率MOSFET管是否導通，只能通過是否有漏極電流來判斷。
反型層的形成一個漸變的過程，只要形成漏極電流ID，且ID且足夠小、小到接近於0（可以進行度量，但不是0），此時，在柵極氧化層下面P阱區的上表面薄層區域已經形成反型層（電流導通溝道），那麼，對應的VGS所加驅動電壓也就接近於閾值電壓VGS(th)。 因此，必須定義一個非常小的漏極電流ID，在此條件下，測量出來的VGS驅動電壓即為閾值電壓VGS(th)。
ID到底設置為多少？可以是1uA、50uA、100uA，或其他值，行業內標準通常定義閾值電壓VGS(th)測量電流條件為：ID=250uA。但是，不同廠家、不同型號的功率MOSFET管，測量閾值電壓VGS(th)時，還是會使用不同條件，例如：ID=50uA，ID=100uA，ID=1mA，ID=5mA，等等，特別是在柵極與源極之間增加ESD保護的功率MOSFET管，以及使用輻照或質子注入優化體寄生二極體性能的功率MOSFET管，具體原因大家可以思考。