全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體元件能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用中的高性能和高可靠性需求而設計，例如電動車充電器、光伏逆變器、不間斷電源、馬達驅動以及固態斷路器等。
採用Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2
這款CoolSiC™ 1200V G2所採用的技術相比上一代產品有顯著的提升，可在導通電阻（Rds(on）相同的情況下，開關損耗降低達25%，系統效率提升0.1%。基於英飛凌先進的 XT 擴散焊技術，G2 系列產品的熱阻相較於 G1 系列降低了 15% 以上，MOSFET 溫度也降低了 11%。憑藉 4mΩ 至 78mΩ 的出色導通電阻和豐富的產品組合，設計人員能夠靈活運用，提升系統性能，滿足目標應用需求。此外，新技術支持在高達 200°C 結溫（Tvj）下的過載運行，並具備出色的抗寄生導通能力，確保在動態且嚴苛的工況下實現可靠運行。
英飛凌CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2提供單開關和雙半橋兩種Q-DPAK封裝。兩種型號均屬於英飛凌更廣泛的X-DPAK頂部散熱平台。所有頂部散熱（TSC）版本（包括 Q-DPAK和TOLT）的封裝厚度統一為2.3mm，具備高度的設計靈活性，使客戶能夠在單一散熱器組件下靈活擴展和組合不同產品。這種設計靈活性簡化了先進功率系統的開發，便於客戶根據需求客製化和擴展其解決方案。
Q-DPAK封裝透過實現元件頂部與散熱器之間的直接熱傳導，顯著提升散熱性能。與傳統底部散熱封裝相比，這種直接熱傳導路徑能夠顯著提高熱傳導效率，使系統設計更加緊湊。此外，Q-DPAK封裝的佈局設計大幅減少了寄生電感，對提高開關速度至關重要，有助於提升系統效率，並降低電壓過衝風險。該封裝由於占用空間小，適用於緊湊的系統設計，其與自動化裝配流程的相容性簡化了製造過程，確保了成本效益和可擴展性。
供貨情況
採用Q-DPAK單開關和雙半橋封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2現已上市。
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