新品 | 650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET

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650V CoolMOS™ 8超結 (SJ) MOSFET

英飛凌推出全新650V CoolMOS™ 8，引領全球高壓超結SJ MOSFET技術，為業界技術和性價比樹立了全球標準。該系列為高功率應用提供了額外的50V電壓裕量，有助於滿足資料中心和電信應用中交流輸入電壓提升至277V的需求。此外，它還能為電動車充電和固態斷路器（SSCB）應用提供額外的浪湧保護。我們的650V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET整合了快速體二極管，使其適用於各種高功率應用場景，是CoolMOS™ 7 MOSFET（包括C7和CFD7系列）的升級換代的最佳選擇。

產品型號：

■IPDQ65R008CM8

■IPDQ65R018CM8

■IPT65R018CM8

■IPT65R025CM8

■IPT65R040CM8

■IPW65R018CM8

■IPW65R025CM8

■IPW65R040CM8

■IPW65R060CM8

■IPZA65R018CM8

■IPZA65R025CM8

■IPZA65R040CM

 產品特點 

• 業界領先的RDS(on)*A
• 整合快速體二極管
• 出色的換向耐用性
• 先進的互連技術
• 完整產品組合包含8mΩ BiC
• 頂部散熱封裝設計

 競爭優勢 

• 業界領先的RDS(on)*A
• Qrr反向恢復電荷性能顯著提升
• trr反向恢復時間較同類產品縮短35%
• 採用QDPAK等頂部散熱封裝技術
• 卓越的品質
• 增強型寬禁帶（WBG）半導體解決方案
• QDPAK封裝8mΩ系列產品

 應用價值 

• 低振鈴特性
• 簡化設計、縮短開發週期
• 產品線清晰且完善
• 系統級創新

 應用領域 

• 資料中心
• 電信設備
• 超固態解決方案（繼電器/斷路器）
• 電動車充電
• 不斷電系統UPS
• 工業用開關電源

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