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第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化矽功率元件
第二代750V CoolSiC™ MOSFET憑藉成熟的閘極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該元件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現卓越。更值得注意的是，第二代產品顯著降低了輸出電容（Coss），使其在循環變流器、CLLC、雙有源橋（DAB）和LLC等軟開關拓撲中能實現更高頻率的開關操作。
第二代CoolSiC™ MOSFET 750V完美適用於對可靠性、功率密度和效率有嚴格要求的應用，包括：車載充電器、DC-DC轉換器、DC-AC逆變器，以及人工智慧伺服器、光伏逆變器和電動車充電設備。其採用的Q-DPAK封裝既能充分發揮碳化矽固有的高速切換特性，同時確保約20W的功率耗散能力。
產品型號：
■ AIMDQ75R016M2H
■ AIMDQ75R025M2H
■ AIMDQ75R060M2H
■ IMDQ75R004M2H
■ IMDQ75R007M2H
■ IMDQ75R016M2H
■ IMDQ75R025M2H
■ IMDQ75R060M2H
產品特點
- 100%雪崩測試驗證
- 業界領先的RDS(on) × Qfr
- 優異的RDS(on) × Qoss和RDS(on) × QG表現
- 低Crss/Ciss和高VGS(th)
- 採用.XT擴散焊
- 配備驅動源極引腳
應用價值
- 穩健性和可靠性提升
- 硬體開關效率卓越
- 開關頻率更高
- 抗寄生導通能力出色
- 業界領先的散熱性能
- 開關損耗顯著降低
競爭優勢
- 通過100%雪崩測試，專為汽車與工業應用設計
- 擴展負柵極驅動電壓範圍（-7V至-11V）
- 增強型熱性能（高達200℃）
- FOM較上一代產品提升20-35%
- 高VGS(th) + 低Crss/Ciss=0V零伏可靠關斷
- 增強型熱性能（高達200℃）
應用領域
- 工業應用場景：
■ 固態繼電器與隔離器
■ 固態斷路器
■ 電動車充電
■ 光伏
■ 不斷電系統UPS
■ 儲能系統ESS
■ 電池化成
■ 電信基礎設施AC-DC電源轉換
■ 伺服器電源供應器PSU
- 汽車電子應用：
■ 高低壓DC-DC轉換器
■ 車載充電OBC
■ 斷路器
□高壓電池開關
□交直流低頻開關
□高壓電子熔斷器
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