作者：英飛凌工業半導體
1200V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市。由於採用了 M1H晶片技術，模塊在VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。這些模塊還提供預塗導熱界面材料（TIM）版本。
相關產品：
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1，2，6mΩ，1200V 62mm半橋模塊
產品特點
• 集成體二極體，優化了熱阻
• 最高的防潮性能
• 卓越的柵極氧化層可靠性
• 抗宇宙射線能力強
• 符合RoHS標準要求
應用價值
• 按照應用苛刻條件優化
• 更低的電壓過沖
• 導通損耗最小
• 高速開關，損耗極低
• 對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為
• 標準模塊封裝技術確保可靠性
• 62毫米高產量生產線上生產
競爭優勢
• 通過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用。
• 電流密度最高，防潮性能強
應用領域
• 儲能系統
• 電動汽車充電
• 光伏逆變器
• UPS
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