隨著電動汽車動力總成和能源基礎設施對碳化矽（SiC）功率元件需求的增加，市場增長得以加速。在這一過程中，終端用戶需求的不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各企業在其電力電子應用中考慮採用SiC溝槽技術（Trench）MOSFET，部分原因是基於傳統矽功率元件的經驗，認為溝槽技術是實現最佳功率密度的唯一

碳化矽（SiC）模組的開關特性受到許多外部參數的影響，例如電壓、電流、溫度、閘極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論。直流鏈路環路電感（DC−Link loop inductance）EliteSiC Power功率模組開關特性的影響。 雙脈衝測試（Double Pulse Test，DPT）採用不

新品 第五代碳化矽CoolSiC™ 肖特基二極體1200V CoolSiC™ 1200V肖特基二極體採用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的穩健性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，採用.XT擴散焊技術，擁有豐富的產品組合。 產品型號： ■ IDWD50G120

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體元件能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用中的高性能和高可靠性需求而設計，例如電動車充電器、光伏逆變器、不間

Diodes公司（Diodes）（納斯達克：DIOD）宣布擴展碳化矽（SiC）產品組合，推出五款高性能、低品質因數（FoM）的650V碳化矽蕭特基二極體。DSCxxA065LP系列的額定電流為 4A、6A、8A、10A 及 12A，採用超高熱效率的 T-DFN8080-4 封裝，專為高效率電源切換產

本文介紹了全新的CoolSiC™ 2000V SiC溝槽柵MOSFET系列。該系列單管產品採用了全新的TO-247PLUS-4-HCC封裝，具有更大的爬電距離和電氣間隙，並使用XT焊接晶片技術。晶片同時應用於62mm封裝的半橋模組以及EasyPACK™ 3B封裝的升壓模組。這些產品的性能提升了系統的

內容摘要 每個功率開關都需要一個驅動電路，這是必要的，但容易被忽視。柵極驅動電路對功率元件的開關過程有著非常重要的影響，本文分析了驅動電路的輸出能力和雜散參數這兩個參數。本文以 SiC MOSFET 關斷過程為基礎，分析了與驅動電路輸出能力和雜散參數相關的影響因素，並通過理論分析和模擬結果進行驗證。

面對AI算力需求爆發式增長，資料中心的電力系統正面臨前所未有的挑戰。安森美 (onsemi)推出的AI數據中心電源解決方案，直擊能效、尺寸等痛點，助力客戶把握數據中心的市場機遇。 框圖——AI資料中心 下方的框圖展示了安森美推薦的 AI 數據中心解決方案。該圖詳細說明了 AI 數據中心採用的 AC-

/引言/ 碳化矽（SiC）元件憑藉其出色的電氣與熱性能，正逐步取代傳統矽（Si）元件，成為高效能電子系統中的新寵。那麼，SiC究竟有何獨特之處？特別是在反向恢復特性方面，它們又是如何改變遊戲規則的呢？讓我們一探究竟！ 1. 什麼是反向恢復？ 在傳統矽功率元件中，反向恢復現象主要與其內部的寄生二極體有

新品 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化矽功率元件 第二代750V CoolSiC™ MOSFET憑藉成熟的閘極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該元件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現