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芯闻速递丨英飞凌新推出的160V MOTIX™三相栅极驱动器IC集成了电源管理单元、电流感应放大器和过流保护功能
作者:英飞凌官微 英飞凌科技专为汽车和工业电机控制应用开发的MOTIX™系列能够提供具有不同集成度的丰富产品组合。 为了进一步壮大产品阵容,英飞凌推出了MOTIX三相栅极驱动器IC 6ED2742S01Q。 这款160V的绝缘体上硅(SOI)栅极驱动器集成了一个电源管理单元(PMU),并且采用了底部...more
JohnZhan

JohnZhan

初学乍练
浏览数: 22评论数: 020 小时前
业界首个双端口PD控制器+DC-DC控制器
作者:英飞凌官微 想打造一个高功率密度的多端口USB-PD充电器或点烟器车充?那么就请您率先了解我们全新的EZ-PD™ CCG7DC! EZ-PD™ CCG7DC是一个高度集成的双端口USB Type-C电源传输解决方案,集成了降压-升压控制器。是设计多端口AC-DC充电器/适配器和点烟器适配器的完...more
肖志勇

肖志勇

初学乍练
浏览数: 20评论数: 01 天前
英飞凌通过合作伙伴生态系统,助推创新多电平D类音频放大器技术应用
作者:英飞凌官微 以紧凑、经济高效且节能的设计实现持久的音乐播放性能至关重要,尤其是对于电池供电型应用。作为全球电源系统和物联网领域的半导体领导者,英飞凌科技近期推出最新一代MERUS™ 多电平D类音频放大器,使其多家生态合作伙伴现在可以通过设计导入支持有意向的客户。英飞凌希望与这些专业公司携手推动...more
王俊升

王俊升

初学乍练
浏览数: 17评论数: 01 天前
芯闻速递丨英飞凌和日亚推出业内首款高清微型矩阵式LED解决方案
作者:英飞凌官微 近年来,车用LED照明技术发展迅猛,已成为汽车制造商提高驾驶舒适性和道路行车安全性的一种重要手段。其中用于自适应远光系统的矩阵式LED技术,可以实现重要的前大灯功能,从而根据不同路况提供所需的照明效果。 三年前,英飞凌科技和日亚化学工业株式会社宣布为汽车前大灯联合开发一款拥有16,...more
albert

albert

初出茅庐
浏览数: 22评论数: 02 天前
芯闻速递|OptiMOS™源极底置功率MOSFET、基于TRAVEO™ T2G 系列的汽车安全解决方案、智能门锁与能量采集技术
作者:英飞凌官微 ┃英飞凌推出PQFN 封装、双面散热、25-150V OptiMOS™源极底置功率MOSFET 未来电力电子系统的设计将持续推进,以实现最高水平的性能和功率密度。为顺应这一发展趋势,英飞凌科技有限公司推出了全新的3.3 x 3.3 mm² PQFN 封装的源极底置功率MOSFET,...more
tyler

tyler

初学乍练
浏览数: 15评论数: 02 天前
3 月 21 日/SAC Infineon 线上研讨会:英飞凌微控制器(MCU)在数字电源中的应用 -- 回放视频 + 中奖名单 + 在线 QA
大大通三月份数字电源主题月的第二场研讨会 3/21《英飞凌微控制器(MCU)在数字电源中的应用》已经圆满完成,在本场研讨会中,大联大品佳集团特邀深耕功率半导体领域多年的国际合作伙伴 - 英飞凌技术专家 Tim Shih 和品佳集团应用工程经理 Zion Xiao 担任主讲,直播中不仅跟我们的网友用户...more
就是爱甜食

就是爱甜食

初出茅庐
浏览数: 74评论数: 09 天前
英飞凌推出全新的物联网传感器平台XENSIV™连接传感器套件(内含使用教程)
作者:英飞凌官微  物联网生态系统和联网设备解锁了新的服务产品与外围服务。但是,在部署智能物联网系统之前,利用传感器进行物联网用例的原型创建流程会消耗大量的资源。为帮助硬件和软件工程师开发物联网设备,英飞凌科技推出了全新的物联网传感器平台,即XENSIV™连接传感器套件(CSK),旨在加速原型创建和...more
Simon Lian

Simon Lian

初学乍练
浏览数: 35评论数: 010 天前
大联大品佳集团敬邀您参加「凌云院IPAC第二弹|充电桩三相LLC电路的损耗评估」直播研讨会
作者:英飞凌官微 近年来新能源汽车发展迅速,对充电桩也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求。基于三相 LLC 变换器技术的 30 千瓦功率模块单元性能更优,可以满足现有的市场需求。基于 30 千瓦三相 LLC 变换器常见的母线电压等级800V,对于 650V 和 1200V 器件存在两类不同的的拓...more
Grace Hsu

Grace Hsu

初学乍练
浏览数: 81评论数: 014 天前
Infineon GaN MOSFET介绍(1)
一般市场上提到的第3代半导体,通常泛指WBG产品,而常见的WBG产品为GaN MOSFET与SiC FET二种功率元件。而WBG产品与silicon MOSFET最大的差异为能阶,也就是电子伏特,silicon MOSFET在电子伏特为1左右,而SiC FET在电子伏特为3.X,同时能阶又与耐压相关...more
Duncan

Duncan

初出茅庐
浏览数: 187评论数: 014 天前
芯闻速递|英飞凌与Rainforest Connection合作,利用先进的传感器技术保护雨林
作者:英飞凌官微 保护雨林是应对气候变化的重要举措,但是非法砍伐和森林野火正在威胁着这些地球上生态最脆弱的地区。英飞凌科技正在进一步扩展与非政府组织Rainforest Connection(RFCx)的合作。双方的共同目标是用现代化的传感器技术监测雨林等地球上生态比较脆弱的地区。 Rainfore...more
Grey.Chen

Grey.Chen

初学乍练
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