新品 EconoDUAL™ 3 IGBT 7 1700V 900A半橋模組配備EC8二極體 透過EconoDUAL™ 3 TRENCHSTOP™ IGBT7 1700V半橋模組實現可再生能源轉換效率最大化，助力減碳進程 產品型號： ■FF900R17ME7C 框圖 產品特點 持續運行工況Tvj(op

IGBT的電流是元件的基本參數之一，顯而易見FS450R12KE4就是450A 1200V IGBT模組。這樣的理解對於日常工作交流來說已經足夠了，但對於一位設計工程師來說卻遠遠不夠，而且業界充滿了誤解和流言。 流言一： 450A IGBT模組的最大輸出電流能力是450A，系統設計中需要留足夠的餘量

隨著國家「雙碳」政策的推進，大力推廣節能減排技術已在各行業逐步深化。在高能耗的工業應用中，透過變頻器控制電機調速可以節能約15-40%，具有巨大的經濟效益，因此一直是節能減排的重要措施。作為通用變頻器重要的細分產品，690V變頻器主要應用於冶金、石油、造紙、港口大型起重設備和船舶等領域。英飛凌上一代

OBC和EVC功率元件選擇的重要性 隨著電動車（EV）市場的快速成長，車載充電器（On-Board Charger, OBC）和外部充電器（External Vehicle Charger, EVC）作為核心元件，其性能直接影響到車輛的充電效率、續航能力以及整體使用者體驗。功率元件是OBC和EVC的

歡迎大家收看《凌感TV》電機控制與驅動特輯，在特輯影片的最後一集，我們邀請到英飛凌汽車業務大中華區高級主任工程師徐文為我們介紹功率模組驅動晶片的「三板斧」。 您還想聽到什麼內容和分享呢？請在留言區告訴我們吧。 Q1 電驅功率元件驅動晶片的「三板斧」指的是什麼？ A 第一板斧——精準驅動。它就像一名「

歡迎大家收看《凌感TV》電機控制與驅動特輯，在特輯影片的第二集，我們邀請到英飛凌汽車電子事業部大中華區應用工程師耿旭旭為我們介紹。Si IGBT 和 SiC MOSFET 的技術差異。 您還想聽到什麼內容和分享呢？請在留言區告訴我們吧。 Q1 Si和SiC材料特性的主要差異是什麼？ A 有5個因素決

新品 儲能用1200V 500A NPC2三電平 IGBT EasyPACK™ 3B模組 1200V 500A NPC2三電平模組，採用EasyPACK™ 3B封裝和最新開發的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7與Emcon 7晶片技術。該模組採用大電流PressFIT壓接式引腳，配備

新品 EasyDUAL™ 1B和2B，1200V 共射極IGBT模組 EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共發射極模組採用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7晶片技術，電流等級涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模組採用PressFIT針腳技術和NTC。

端到端垂直整合，提升市場競爭力 安森美在SiC領域有著深厚的歷史積累，是目前少數擁有端到端垂直整合能力的大型SiC供應商，包括SiC晶錠生長、基板、外延、晶圓製造、同類最佳的整合模組和分立封裝解決方案，並積極加速對SiC基板和外延進行擴產，包括近期在美國哈德遜、捷克Rozov、韓國富川等工廠的擴建，

柵極驅動晶片（Gate Driver）在電機控制中扮演著關鍵角色，它將微控制器（MCU）的控制信號進行放大，以驅動功率元件（IGBT/MOSFET）完成導通和關斷的工作，同時也將微控制器與驅動電路隔離，保護微控制器的正常運作。 晶豐明源與凌鷗創芯共同發布了新款預驅產品LKS570和LKS571，這些