概述： 1. NCP/NCV51752 是一款隔離式 1 通道閘極驅動器，具有高達 4.5A/9A 的峰值電流。 它專為非常快速的開關而設計，以驅動功率 SiC MOS電源開關. 2. NCP/NCV51752 提供短且匹配的傳播延遲，並具有在閘極驅動迴路中產生負偏壓的整合機制，從而為任何類型的 S

SiC MOSFET與STM32G4電動汽車充電30KW方案 ★ 研討會內容：   介紹基於STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充電樁模塊電源的整體解決方案，包含前級三相VIENNA整流和後級三相交錯LLC, 可實現高效率（整機峰值效率96.6% ，滿載效率96%）和寬輸出電壓範圍（2

作者：英飛凌工業半導體 方潔 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率迴路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。 功率電路寄生電感在哪裡？ 圖1給出了半橋電路中不同位置寄

作者：英飛凌工業半導體 碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023 IPAC英飛凌工業功率技術大會上，發表了《英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對Si

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了採用第三代碳化矽（SiC）MOSFET和SBD晶片的斬波器SiC MOSFET模組“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，額定電壓為3300 V和800 A工業設備，並擴大了其產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體ht

碳化矽MOSFET寄生體二極體具有極小的反向恢復時間trr和反向恢復電荷Qrr。對於相同額定電流為900V的器件，碳化矽MOSFET寄生二極體的反向電荷僅為相同電壓規格的矽基MOSFET的5%。對於橋式電路，可以減小體二極體的死區時間和反向恢復帶來的損耗和噪聲，便於改進。開關工作頻率。碳化矽MOS具

SiC MOSFET作為第三代功率半導體，由於具有卓越的開關速度、超低的Qrr、高溫下極低的Rdson損耗和卓越的UIS能力，使其在有高效率要求的應用場合中表現出極佳的 性能。 SiC MOSFET目標應用包括工業馬達驅動、太陽能逆變器、高功率SMPS和eV充電樁。 SiC MOSFET「Q」系列產

作者：英飛凌工業半導體 王建淵 顏肅  隨著現代工具機向高速、高精度方向發展，對工具機主軸的技術要求越來越高。電主軸作為高速工具機的重要組成部件之一，因其轉速高、體積小和優異的動態性能等特性，可有效提高工具機的動態平衡，避免了振動和噪聲。主軸電機放置在工具機的主軸單元內，直接驅動負載。因此，簡化了傳

ACEPACK 1電源模塊，四單元拓撲，1200 V、25 mΩ 典型值， 第2代SiC功率MOSFET，帶NTC 產品說明 該電源模塊採用四單元拓撲，內置ACEPACK 1 模塊和NTC，並集成了意法半導體最先進的第2代矽碳化MOSFET。這種模塊化解決方案可用於實現功率密度非常高的複雜拓撲，從而

由於第三代半導體的發展，對於Si mos 與 SiC mos 如下幾個的差異性來做說明 一. 驅動電壓之影響 Si-Mos與SiC-Mos相比，驅動電壓即閘極－源極間電壓Vgs越高導通而對ID電流的影響會有所不同。下圖表示為ID電流與Vgs的關係。所以SiC mos Vgs導通電壓建議須要比Si M