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東芝擴大3300V SiC MOSFET模組的產品陣容，有助於工業設備的高效化和小型化

關鍵字 :TOSHIBASIC MOSFET碳化矽工業設備
東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了採用第三代碳化矽（SiC）MOSFET和SBD晶片的斬波器SiC MOSFET模組“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，額定電壓為3300 V和800 A工業設備，並擴大了其產品陣容。



圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html

新產品MG800FXF1ZMS3和MG800FXF1JMS3採用iXPLV[3]封裝，採用Ag燒結內鍵結技術，安裝相容性高。 這些元件具有低導通損耗和1.3V（典型值）[4] 的低漏源導通電壓（感應），並且還具有低開關損耗和230 mJ（典型值）[5] 的低導通開關損耗。關斷開關損耗低至 230 mJ（典型值）[5]。 這些有助於減少設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。東芝 iXPLV 封裝 MOSFET 模組陣容共有三款產品，包括現有產品 MG800FXF2YMS3（3300 V / 800 A / 雙 SiC MOSFET 模組）。這提供了廣泛的產品選擇。這可用於 2 電平逆變器、降壓/升壓轉換器和 3 電平逆變器。

東芝將持續滿足市場對工業設備高效率和小型化的需求。

備註:
[1] High-side: SiC MOSFET, Low-side: SiC SBD
[2] High-side: SiC SBD, Low-side: SiC MOSFET
[3] iXPLV：智慧柔性封裝低電壓
[4] 測試條件: ID=800 A, VGS=+20 V, Tch=25 °C
[5] 測試條件: VDD=1800 V, ID=800 A, Tch=175 °C

應用

工業設備

  • 鐵路車輛變頻器和轉換器
  • 再生能源發電系統
  • 工業設備等馬達控制設備

特性

  • 低漏源導通電壓（感應）：

VDS(on)sense=1.3V（典型值）（ID=800A，VGS=+20V，Tch=25°C）
  • 低導通開關損耗：
    Eon=230 mJ（典型值）（VDD=1800 V，ID=800 A，Tch=175 °C）
  • 低關斷開關損耗：
    Eoff=230 mJ（典型值）（VDD=1800 V，ID=800 A，Tch=175 °C )

    • 主要規格

    （Tc=25°C，除非另有說明）



    圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html

    內部電路


    圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html

    應用線路範例

    圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html


    備註：
    本文檔中所示的應用電路僅供參考。
    需要徹底的評估，特別是在量產設計階段。
    提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。

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    參考來源

    TOSHIBA: https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/mosfet-20231206-1d.html