新品 第五代碳化矽CoolSiC™ 肖特基二極體1200V CoolSiC™ 1200V肖特基二極體採用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的穩健性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，採用.XT擴散焊技術，擁有豐富的產品組合。 產品型號： ■ IDWD50G120

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體元件能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用中的高性能和高可靠性需求而設計，例如電動車充電器、光伏逆變器、不間

新品 第二代CoolSiC™ MOSFET G2 750V - 工業級與車規級碳化矽功率元件 第二代750V CoolSiC™ MOSFET憑藉成熟的閘極氧化層技術，在抗寄生導通方面展現出業界領先的可靠性。該元件在圖騰柱、有源中性點鉗位（ANPC）、維也納整流器和飛跨電容（FCC）等硬開關拓撲中表現

新品 針對車載充電和電動汽車應用的 EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V 和矽基模組 英飛凌推出專為車載充電和電動車應用設計的EasyPACK™ 2B模組，採用六單元配置，並通過AQG324認證。一款模組採用CoolSiC™ MOSFET技術，具備1200V、17mΩ規格，配備NTC和P

新品 採用ThinTOLL 8x8封裝的 CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET 新增26mΩ、33mΩ產品 第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立元件產品線現已擴充至包含ThinTOLL 8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋範圍擴

新品 面向光伏應用的Easy模組產品擴展 採用增強型第一代CoolSiC™ MOSFET的EasyPACK™ 1B半橋升壓拓撲，整合NTC溫度感測器並配備PressFIT針腳，為太陽能逆變器系統設計提供理想的一體化解決方案。 產品型號： ■ DF17MR12W1M1HF_B86 產品特點 Easy系

新品 面向低功率儲能系統應用的產品擴展 採用最新1200V TRENCHSTOP™ IGBT7和EC7快速二極體技術的三電平NPC1拓撲的EasyPACK™ 3B模組； 採用1200V CoolSiC™ MOSFET和L7 EC7技術的有源中性點鉗位（ANPC）拓撲的EasyPACK™ 3B模組；

新品 用於CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈衝測試評估板 評估板是用於評估採用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模組。使用者可以透過雙脈衝測試來評估元件性能。目標應用包括電動車充電、能源儲存

新品 採用CoolSiC™ 400V SiC MOSFET的 ANPC三電平虛擬評估板 該虛擬設計（提供設計文件，不提供實體產品）為3L-ANPC拓撲，是帶隔離的三相三電平逆變器板。優化的PCB佈局最大限度地減少了換流迴路電感，降低了開關損耗和電壓過衝。該設計是工程師和研究人員用於實驗、驗證和優化工

新品 採用高性能DCB的Easy B系列 CoolSiC™ 2kV SiC MOSFET模組 英飛凌EasyDUAL™和EasyPACK™ 2B 2kV、6mΩ半橋和三電平模組採用CoolSiC™ SiC MOSFET增強型1代M1H晶片，整合NTC溫度感測器、PressFIT接點技術以及氮化鋁陶瓷