新品
採用ThinTOLL 8x8封裝的 CoolSiC™ 650V G2 SiC MOSFET 新增26mΩ、33mΩ產品
第二代CoolSiC™ MOSFET 650V G2分立元件產品線現已擴充至包含ThinTOLL 8x8封裝的26mΩ和33mΩ型號，將導通電阻(RDS(on))的覆蓋範圍擴展至20mΩ到60mΩ，提供更細緻的選型梯度。
ThinTOLL封裝是在標準8x8尺寸下發揮CoolSiC™ G2晶片性能的最佳方案。該封裝技術突破了8x8尺寸的熱循環極限，並透過優化.XT互連結構顯著降低熱阻，在保持8x8mm超小尺寸的同時，充分展現碳化矽材料的性能優勢，實現了功率密度的革命性突破。
產品型號：
■IMTA65R026M2H
■IMTA65R033M2H
框圖
產品特點
- 卓越的品質因數（FOMs）
- 同類最佳導通電阻（RDS(on)）
- 高可靠性、高品質
- 靈活的驅動電壓範圍
- 支援單極驅動（VGS(off)=0）
- 先進的.XT擴散焊封裝互連技術
- 全系列8x8封裝FET引腳相容
- 熱循環可靠性TCoB提升4倍
應用價值
- BOM成本優化
- 單位成本最佳系統效能
- 最高可靠性，延長使用壽命
- 頂尖能效與功率密度
- 緊湊尺寸，更高功率密度
- 高度整合的子卡設計
應用領域
- 智慧電視系統解決方案
- 暖通空調
- 家用電器
- 微型逆變器解決方案
- 電能轉換
掃描下方 QR Code 了解更多產品資訊！
掃描 QR Code，關注英飛凌工業半導體尋找更多應用或產品資訊
評論