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用於CoolSiC™ MOSFET FF6MR20W2M1H_B70的雙脈衝測試評估板
評估板是用於評估採用1ED3890MC12M柵極驅動器的FF6MR20W2M1H_B70 CoolSiC™ SiC MOSFET模組。使用者可以透過雙脈衝測試來評估元件性能。目標應用包括電動車充電、能源儲存系統（ESS）功率因數校正（PFC）、直流-直流轉換器以及太陽能等。
這是一個用於測試半橋配置的2kV CoolSiC™ EasyDUAL™ 2B MOSFET的雙脈衝測試評估板。它可以可靠且快速地使用1ED3890MC12M EiceDRIVER™驅動2kV SiC半橋電路。
產品型號：
■ EVAL-FFXMR20W2M1HS
■ EVAL-FFXMR20W2M1HR
所用器件：
■ FF6MR20W2M1H_B70 6mΩ 2kV M1H SiC MOSFET
■ 1ED3890MC12M 2300V單通道高度靈活的隔離柵極驅動器，可透過I2C配置DESAT、軟關斷、UVLO、米勒鉗位、TLTO和故障
產品特點
- 用於評估Easy 2B FF6MR20W2M1H_70 2千伏SiC MOSFET半橋模組，採用CoolSiC™溝槽柵SiC MOSFET技術
- 驅動IC 1ED3890MC12M搭載I2C匯流排，用於參數調整
- 用於雙脈衝測試的大容量直流母線電容器
- 有兩種版本，可選擇使用Rogowski線圈或同軸分流器進行電流測量
應用價值
- 132 µF板載大容量薄膜電容
- 壓接式FF6MR20W2M1H模組
- 負柵極驅動電壓可以調整
框圖
應用領域
- 電動汽車充電
- ESS 功率因數校正
- 直流-直流轉換器
- 太陽能應用
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