新品 第五代碳化矽CoolSiC™ 肖特基二極體1200V CoolSiC™ 1200V肖特基二極體採用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的穩健性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，採用.XT擴散焊技術，擁有豐富的產品組合。 產品型號： ■ IDWD50G120

全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出了採用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2。這款新型半導體元件能夠提供更出色的熱性能、系統效率和功率密度，專為應對工業應用中的高性能和高可靠性需求而設計，例如電動車充電器、光伏逆變器、不間

摘要 英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2透過縮小單元間距及結構優化，實現了更高的性能。本研究透過在不同負載電流和閘極電阻條件下進行雙脈衝測試，分析其動態特性。結果顯示，在保持低導通損耗的同時，開關損耗比G1降低了40%。本文針對高頻應用提出了閘極電阻和負電壓選擇等實用指南。這些發現為在高效電

新品 針對車載充電和電動汽車應用的 EasyPACK™ CoolSiC™ 1200V 和矽基模組 英飛凌推出專為車載充電和電動車應用設計的EasyPACK™ 2B模組，採用六單元配置，並通過AQG324認證。一款模組採用CoolSiC™ MOSFET技術，具備1200V、17mΩ規格，配備NTC和P

新品 英飛凌EconoDUAL™ 3 CoolSiC™ SiC MOSFET 1200V模組 英飛凌EconoDUAL™ 3 1200V/1.4mΩ CoolSiC™ SiC MOSFET半橋模組，增強型第1代M1H晶片、整合NTC溫度感測器與PressFIT引腳，還可提供預塗導熱材料TIM版本(F

新品 採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET 英飛凌採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動車充電、太陽能、SSCB、人工智慧、不間斷電源和CAV等。 頂部散熱Q-D

新品 採用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品 英飛凌採用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動車充電、太陽能和不間斷電源等。 頂部散熱QDPAK具有卓越的散熱性能

新品 儲能用1200V 500A NPC2三電平 IGBT EasyPACK™ 3B模組 1200V 500A NPC2三電平模組，採用EasyPACK™ 3B封裝和最新開發的1200V TRENCHSTOP™ IGBT H7與Emcon 7晶片技術。該模組採用大電流PressFIT壓接式引腳，配備

新品 EasyDUAL™ 1B和2B，1200V 共射極IGBT模組 EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共發射極模組採用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7晶片技術，電流等級涵蓋75A、100A、150A、200A至300A。模組採用PressFIT針腳技術和NTC。

新品 半橋1200V CoolSiC™ MOSFET EconoDUAL™ 3模組 採用EconoDUAL™ 3封裝的1200V/1.4mΩ半橋模組。晶片為SiC MOSFET M1H增強型第一代，集成NTC溫度感測器和PressFIT針腳。還可提供預塗熱界面材料版本（FF1MR12MM1HP_B1