新品 | 採用頂部散熱 Q-DPAK封裝的 CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

 新品 

採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET

英飛凌採用頂部散熱Q-DPAK封裝的CoolSiC™ 1200V SiC MOSFET單管，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動車充電、太陽能、SSCB、人工智慧、不間斷電源和CAV等。

頂部散熱Q-DPAK具有出色的散熱性能，更容易組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱元件可實現更優化的PCB佈局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。

產品型號：

■ IMCQ120R026M2H

■ IMCQ120R034M2H

■ IMCQ120R040M2H

■ IMCQ120R053M2H

■ IMCQ120R078M2H

 產品特點 

• SMD頂部散熱封裝
• 雜散電感低
• CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 技術具備優化的開關性能和 FOM 因子
• .XT擴散焊
• 最低RDS(on)
• 封裝材料CTI>600
• 爬電距離>4.8mm
• 耐濕性
• 雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護

 應用價值 

• 更高的功率密度
• 實現自動裝配
• 不需要太複雜的設計
• 與底部散熱封裝相比，具有卓越的熱性能
• 改善系統功率損耗
• 電壓有效值950V，污染度為2
• 可靠性高
• 降低總擁有成本（TCO）或物料清單（BOM）成本

 應用領域 

• 電動車充電
• 太陽能
• 不斷電系統
• 蘇聯
• 工業驅動器
• 人工智慧
• CAV

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