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採用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品
英飛凌採用頂部散熱QDPAK的CoolSiC™ 1200V G2 SiC MOSFET半橋產品，專為各種工業應用開發，包括工業驅動、電動車充電、太陽能和不間斷電源等。
頂部散熱QDPAK具有卓越的散熱性能，更容易組裝，從而降低了客戶的系統成本。與底部散熱解決方案相比，頂部散熱元件可實現更優化的PCB佈局，從而減少寄生元件和寄生電感的影響。同時還能增強散熱能力。
產品型號：
■ IMSQ120R012M2HH
■ IMSQ120R026M2HH
■ IMSQ120R040M2HH
■ IMSQ120R053M2HH
產品特點
- SMD頂部散熱封裝
- 雜散電感低
- CoolSiC™ MOSFET 1200V G2 技術具有更高的開關性能和 FOM 因子
- .XT擴散焊
- 最低RDS(on)
- 封裝材料CTI>600
- 爬電距離>4.8mm
- 耐濕性
- 雪崩保護、短路保護和寄生導通PTO保護
應用價值
- 更高的功率密度
- 實現自動裝配
- 不需要太複雜的設計
- 與底部散熱封裝相比，具有卓越的熱性能
- 改善系統功率損耗
- 電壓有效值950V，污染度為2
- 可靠性高
- 降低總擁有成本（TCO）或物料清單（BOM）成本
應用領域
- 驅動器
- 電動車充電
- 太陽能
- 不斷電系統
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