作者：英飛凌工業半導體
EasyDUAL™ 1B和EasyPACK™ 1B採用CoolSiC™ MOSFET增強型1代，適用於1200V應用。這些模塊採用PressFIT壓接技術並帶NTC溫度檢測。它們還提供預塗熱界面材料和AlN/Al2O3基板等不同型號。
相關器件：
▪️ FS33MR12W1M1H_B11
33mΩ 1200V 三相橋
▪️ FS33MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 三相橋低熱阻版本
▪️ FS28MR12W1M1H_B11
28mΩ 1200V 三相橋
▪️ FF55MR12W1M1H_B11
55mΩ 1200V 半橋
▪️ FF55MR12W1M1H_B70
33mΩ 1200V 半橋低熱阻版本
產品特點
▪️ 1200V CoolSiC™ MOSFET
▪️ Easy1B封裝
▪️ 非常低的模塊寄生電感
▪️ RBSOA反向工作安全區寬
▪️ 柵極驅動電壓窗口大
▪️ PressFIT引腳
應用價值
▪️ 擴展了柵源電壓最大值：+23V和-10V
▪️ 在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
▪️ 最佳的性價比，可降低系統成本
▪️ 可工作在高開關頻率，並改善對冷卻要求
競爭優勢
▪️ 擴展現有產品系列
▪️ 半橋模塊和三相橋模塊
▪️ 帶或不帶預塗導熱材料TIM模塊版本
▪️ 提供標準DCB和高性能DCB
應用領域
▪️ 電機控制和驅動
▪️ 伺服電機驅動和控制
▪️ 電動汽車充電
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