作者：英飛凌官微 英飛凌推出集成高精度溫度傳感器的新型600 V CoolMOS™ S7TA MOSFET         全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出適用於汽車功率管理應用的600 V CoolMOS™ S7TA超級結MOSFET。S7TA專為滿足汽車電子部件的

作者：英飛凌官微         隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出

       中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”，低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用於帶有USB的設備以及電池組保護。該產品於今日開始支持批量出貨。        截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦於12V產

        杭州士蘭微電子股份有限公司坐落於杭州高新技術產業開發區，是專業從事集成電路芯片設計及半導體微電子相關產品生產的高新技術企業。公司成立於1997年9月，總部在中國杭州。2003年公司股票在上海證劵交易所掛牌，是第一家在中國境內上市的集成電路芯片設計企業。受益於中國電子信息產業快速成長，

作者：英飛凌工業半導體　趙佳 得益於寬禁帶半導體的材料優勢，SiC MOSFET在電力電子行業中的應用越來越廣泛。SiC MOSFET很多性能與傳統Si基器件不同，對驅動設計也提出了更高的要求。為了最大化利用SiC MOSFET的性能優勢，驅動晶片的選擇需要著重考慮如下幾個方面： 01. 更高的軌到

經常有研發工程師和器件工程師問到這樣的問題：兩個不同公司的功率MOSFET管，耐壓和導通電阻基本相同，標稱的電流也相同，該如何判斷哪一個功率MOSFET管的雪崩能量更高，雪崩能力更強？ MOSFET A   測試條件：起始結溫TJ=25°C，電感L=0.1mH，IAS=30A，EAS=45mJ。 M

作者：英飛凌官微 產品特點: 用於62mm，2kV CoolSiC™溝槽柵MOSFET模塊的半橋驅動板 驅動有獨立的拉電流和灌電流管腳，便於優化柵極驅動 驅動IC 1ED3890MC12M或1ED3890MU12M X3系列數字電路，帶I2C總線，用於參數調整 硬體欠壓鎖定(UVLO)保護 應用價值

        東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）現已開始量產適用於工業設備的第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值為400A的SiC MOSFET模塊“MG400Q2YMS3”，擴大了其產品線。         新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓（感應）

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值400A的SiC MOSFET模組“MG400Q2YMS3”，並擴大了產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw

日本川崎－東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）開發出肖特基勢壘二極體（SBD）[1]嵌入式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）[2]， 對現有元件結構進行了重大改進[ 3]，同時保持高可靠性和短路耐受性。成功的設計修改在裝置結構中引入了不同深度的勢壘結構[4]， 該結構保持了整合SBD功