日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）推出了全新功率元件「TWxxNxxxC系列」。這是其第三代碳化矽MOSFET[1][2]，
具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。
新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3]，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。
開關損耗也減少了約20%[5]，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。
東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容，加強其生產設施，並透過提供易於使用的高性能功率元件，實現無碳經濟。
注釋：
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構，降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)，同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。
具有低導通電阻和大幅降低的開關損耗。10種產品分別為5種1200V和5種650V產品，已經開始出貨。
新產品將單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)降低了約43%[3]，使代表傳導損耗和開關損耗之間關係的重要指標——漏源導通電阻*閘-漏電荷(RDS(ON)*Qgd)降低了約80%[4]。
開關損耗也減少了約20%[5]，因而同時降低了導通電阻和開關損耗。這些新產品可提高設備效率。
東芝將繼續擴大其功率元件的產品陣容，加強其生產設施，並透過提供易於使用的高性能功率元件，實現無碳經濟。
注釋：
[1] 東芝透過利用為第二代碳化矽MOSFET開發的內建肖特基勢壘二極體開發了一種元件結構，降低了單位面積的導通電阻(RDS(ON)A)，同時也減少了JFET區域的回授電容。
[2] MOSFET：金屬-氧化物半導體場效應電晶體
[3] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)A設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[4] 第二代碳化矽MOSFET的RDS(ON)*Qgd設為1時對比新型1200V碳化矽MOSFET。東芝調查。
[5] 新型1200V碳化矽MOSFET和第二代碳化矽MOSFET的比較。東芝調查。
應用
- 開關電源（伺服器、資料中心、通訊設備等）
- 電動汽車充電站
- 太陽能逆變器
- 不斷電供應系統(UPS)
特性
- 低單位面積導通電阻(RDS(ON)A)
- 低漏源導通電阻*閘-漏電荷 (RDS(ON)*Qgd)
- 低二極體正向電壓: VDSF = -1.35 V (典型值) @VGS = -5 V
規格它牌比較
主要規格
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