隨著電動汽車動力總成和能源基礎設施對碳化矽（SiC）功率元件需求的增加，市場增長得以加速。在這一過程中，終端用戶需求的不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各企業在其電力電子應用中考慮採用SiC溝槽技術（Trench）MOSFET，部分原因是基於傳統矽功率元件的經驗，認為溝槽技術是實現最佳功率密度的唯一

新品 第五代碳化矽CoolSiC™ 肖特基二極體1200V CoolSiC™ 1200V肖特基二極體採用TO-247-2封裝，可實現高效緊湊設計，具有增強的穩健性和可靠性。該產品通過了雪崩測試驗證，電流等級高達150A，採用.XT擴散焊技術，擁有豐富的產品組合。 產品型號： ■ IDWD50G120

摘要 英飛凌CoolSiC™ MOSFET G2透過縮小單元間距及結構優化，實現了更高的性能。本研究透過在不同負載電流和閘極電阻條件下進行雙脈衝測試，分析其動態特性。結果顯示，在保持低導通損耗的同時，開關損耗比G1降低了40%。本文針對高頻應用提出了閘極電阻和負電壓選擇等實用指南。這些發現為在高效電

炎炎夏日，你以為冷氣是耗電大戶？ 其實真正的「耗能巨獸」是它——AI資料中心 看一個數據，以GPT-4為例，單次訓練耗能相當於3000戶家庭一年的用電量。 安森美（onsemi）早已準備好全環節「降能耗 + 穩運行」方案，協助AI數據中心在效率、功率密度和系統成本之間達成最佳平衡。 安森美為 AI

OBC和EVC功率元件選擇的重要性 隨著電動車（EV）市場的快速成長，車載充電器（On-Board Charger, OBC）和外部充電器（External Vehicle Charger, EVC）作為核心元件，其性能直接影響到車輛的充電效率、續航能力以及整體使用者體驗。功率元件是OBC和EVC的

之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC™ MOSFET G2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiC™ MOSFET Gen2性能概述，CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析）今天我們來分析一下在軟開關和硬開關兩種情境下，如何進行CoolSiC™ MOSFET G2的選型。 G2在

驅動隔離電源專用的正激DCDC晶片BTP1521x 基本半導體自主研發的BTP1521x是一款正激DCDC開關電源晶片，內建上電軟啟動功能及過溫保護功能，輸出功率可達6W。該電源晶片的工作頻率可通過OSC腳設定，最高工作頻率可達1.3MHz，適用於為隔離驅動晶片副邊電源供電芯片有SOP-8封裝和DF

1200/650V E1B封裝工業級碳化矽功率模組 為了更好地滿足工業客戶對於高功率密度的需求，基本半導體開發推出了工業級全碳化矽MOSFET功率模組Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B該系列產品採用了Press-Fit壓接工藝、具備NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化矽（Si3N4）AM

SiC MOSFET 的優勢 在高壓應用中，SiC MOSFET 的性能優於傳統矽器件，具體表現為能效更高、開關速度更快、熱損耗更低。藉助這項技術，主驅逆變器和車載充電器（OBC）能夠在保持高能效和峰值功率的同時，實現更緊湊的模組設計，從而減輕整車重量，提升空間利用率。 圖1：安森美EliteSiC

面對 AI 算力需求爆發式增長，數據中心電力系統正面臨前所未有的挑戰。安森美 (onsemi)推出的 AI 數據中心電源解決方案，直擊能效、尺寸等痛點，助力客戶掌握數據中心的市場機遇。 框圖——AI資料中心 下方的框圖展示了安森美推薦的AI資料中心解決方案。該圖詳細說明了AI資料中心採用的AC-DC