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1.介紹 功率半導體在供應與控制電力傳輸方面為至關重要的，對節能類的電氣設備中提高效率減少碳排量功率半導體是不可或缺的。隨著電動汽車進程加快以及工業設備變得更高效、更小型化，未來對功率半導體的需求預計將持續增長。在上述需求擴大的背景下，碳化矽 (SiC) 作為下一代功率半導體材料備受矚目，因其相較於

作者：英飛凌官微         隨著人工智慧（AI）處理器對功率的要求日益提高，服務器電源（PSU）必須在不超出服務器機架規定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因為高級GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級GPU晶片的能耗可能達到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應用和相關特定客戶需求的出

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值400A的SiC MOSFET模組“MG400Q2YMS3”，並擴大了產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw

日本川崎－東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）開發出肖特基勢壘二極體（SBD）[1]嵌入式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）[2]， 對現有元件結構進行了重大改進[ 3]，同時保持高可靠性和短路耐受性。成功的設計修改在裝置結構中引入了不同深度的勢壘結構[4]， 該結構保持了整合SBD功

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SiC MOSFET與STM32G4電動汽車充電30KW方案 ★ 研討會內容：   介紹基於STM32G4 MCU和SIC器件的高效率30kW充電樁模塊電源的整體解決方案，包含前級三相VIENNA整流和後級三相交錯LLC, 可實現高效率（整機峰值效率96.6% ，滿載效率96%）和寬輸出電壓範圍（2

作者：英飛凌工業半導體 方潔 影響IGBT和SiC MOSFET在系統中的動態特性有兩個非常重要的參數：寄生電感和寄生電容。而本文主要介紹功率迴路中寄生電感的定義和測試方法，包括直流母線電容的寄生電感，直流母排寄生電感以及模塊本身的寄生電感。 功率電路寄生電感在哪裡？ 圖1給出了半橋電路中不同位置寄

作者：英飛凌工業半導體 碳化矽MOSFET導通損耗低，開關速度快，dv/dt高，短路時間小，對驅動電壓的選擇、驅動參數配置及短路響應時間都提出了更高的要求。英飛凌零碳工業功率事業部產品工程師鄭姿清女士，在2023 IPAC英飛凌工業功率技術大會上，發表了《英飛凌EiceDRIVER™技術以及應對Si

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了採用第三代碳化矽（SiC）MOSFET和SBD晶片的斬波器SiC MOSFET模組“MG800FXF1ZMS3[1]”和“MG800FZF1JMS3[2]”，額定電壓為3300 V和800 A工業設備，並擴大了其產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體ht