東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）推出兩款雙極型電晶體“TTA2070和TTC5810”（採用SC-62封裝：東芝別名PW-Mini ）。這兩款產品適用於功率器件中的柵極驅動電路、消費設備和工業設備中的電流開關以及LED驅動電路。TTA2070的集電極-發射極額定電壓和集

       中國上海——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”，低導通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用於帶有USB的設備以及電池組保護。該產品於今日開始支持批量出貨。        截至目前，東芝的N溝道共漏極MOSFET產品線重點聚焦於12V產

        東芝電子元件及存儲裝置株式會社（簡稱“東芝”）現已開始量產適用於工業設備的第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值為400A的SiC MOSFET模塊“MG400Q2YMS3”，擴大了其產品線。         新產品MG400Q2YMS3的漏極-源極導通電壓（感應）

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值400A的SiC MOSFET模組“MG400Q2YMS3”，並擴大了產品陣容。 圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw

日本川崎－東芝電子元件及儲存裝置株式會社（「東芝」）開發出肖特基勢壘二極體（SBD）[1]嵌入式金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）[2]， 對現有元件結構進行了重大改進[ 3]，同時保持高可靠性和短路耐受性。成功的設計修改在裝置結構中引入了不同深度的勢壘結構[4]， 該結構保持了整合SBD功

本篇將延續上一篇繼續介紹EAS的計算，接著我們下一步是用測量值和規格書參數來取代未知參數"L"範圍，圖1所示為雪崩能量測試電路,從此電路中雪崩能量波形如圖2所示。 圖1. 雪崩能量測試電路 (註1.Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET

本篇我們將介紹TOSHIBA MOSFET TOLL 包裝的切換損的改善，Layout介紹以及散熱。 首先我們將先介紹TOLL MOSFET 包裝,由圖一和圖二，我們比較了TOLL包裝的電感性負載開關波形（TK090U65Z）和TO-247-3P 包裝（TK090N65Z）從圖一所示的導通波形來看,

TOLL包裝是為需要高效率的應用而開發的表面貼片封裝,例如伺服器,電信和資料中心應用的工業電源為代表。迄今為止，主要採用長端子引線的通孔封裝，例如 TO-247 和 TO-220用於工業電源的高壓MOSFET封裝，但MOSFET一直有問題由於端子引線的寄生電感，性能受到限制，另外，各種SMD(表面貼

上一篇我們已經介紹了 TOSHIBA EAS規格了，本篇我們將介紹如何去計算與電流相關的雪崩能量。 首先我們先計算MOSFET的Tch 溫度,公式如下請參考公式1， 公式1：（註一：Avalanche Energy (EAS) caluculation of Power MOSFET）。 0.473

東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）推出了新開發的壓接型包裝IEGT [1] “ST1000GXH35”，額定電壓為4500 V/1000 A，適用於直流輸電系統和工業馬達控制器等高壓轉換器。 新產品ST1000GXH35採用溝槽型IEGT晶片和高速二極體晶片。 IEGT 晶片可降低集極-射極