東芝電子元件及儲存裝置株式會社（“東芝”）已開始量產工業設備用第三代碳化矽（SiC）1200V、漏極電流（DC）額定值400A的SiC MOSFET模組“MG400Q2YMS3”，並擴大了產品陣容。
圖片來源出處:東芝半導體https://toshiba.semicon-storage.com/tw/company/news/new-products-share/transistor/sic-power-devices-20240605-1d.html
新產品 MG400Q2YMS3 具有低導通損耗和 0.9 V（典型值）的低漏源導通電壓（感測）[1]。它還具有較低的開關損耗，導通開關損耗和關斷開關損耗均為 13 mJ（典型值）[2]。這些有助於減少設備的功率損耗和冷卻裝置的尺寸。MG400Q2YMS3 具有 12 nH（典型值）的低雜訊感，並且能夠進行高速開關。此外，它還能抑制開關操作時的突波電壓。因此，它可用於高頻隔離DC-DC轉換器。
東芝2-153A1A封裝的SiC MOSFET模組有五種現有產品陣容：MG250YD2YMS3（2200V/250A）、MG400V2YMS3（1700V/400A）、MG250V2YMS3（1700V/250V/400A）、MG250V2YMS3（1700V/250V）。包括新產品。這提供了更廣泛的產品選擇。
備註:
[1] 測試條件：ID=400A，VGS=+20V，Tch=25℃
[2] 測試條件：VDD=600V，ID=400A，Tch=150℃
應用:
工業設備
- 鐵路車輛輔助電源
- 再生能源發電系統
- 工業設備用馬達控制設備
- 高頻DC-DC轉換器等
特性:
- 低漏源導通電壓（感應）：
VDS(on)sense=0.9V（典型值）（ID=400A，VGS=+20V，Tch=25°C） - 低導通開關損耗：
Eon=13 mJ（典型值）（VDD=600 V，ID=400 A，Tch=150 °C） - 低關斷開關損耗：
Eoff=13 mJ（典型值）（VDD=600 V，ID=400 A，Tch=150 °C） - 低雜訊感：
LsPN=12 nH（典型值）
主要規格:
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內部線路:
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應用線路範例:
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備註:
本文檔中所示的應用電路僅供參考。
需要徹底的評估，特別是在量產設計階段。
提供這些應用電路範例並不授予任何工業產權許可。
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