作者：英飛凌工業半導體 SiC MOSFET以極低的損耗、良好的熱特性贏得了行業青睞，而極高的開關速度也令SiC難以駕馭，而如何並聯SiC模塊更是一個極具挑戰的任務。上一期的視頻介紹了SiC MOSFET模塊並聯的目的以及柵極驅動器設計，本期視頻將介紹功率布局和並聯均流。 參考閱讀 如何並聯Cool

作者：英飛凌工業半導體 受成品率限制，碳化矽晶片電流不宜做得太大，這樣大電流碳化矽MOSFET模塊，需要多晶片並聯。 Easy模塊適合內部晶片並聯和外部模塊並聯，因為靈活的引腳網格能夠降低柵極電感，實現柵極電感均等和非常對稱的內晶片布局，所以多晶片並聯特性很好。在設計電力電子系統時，又可以將多個Ea

原作者： 英飛凌汽車電子生態圈   自2020年起，功能域控逐步導入量產，混合式功能加區域控制緊隨其後並快速發展為未來3~5年的主流架構，不少主機廠也在進一步探索實現軟硬體解耦，資源整合優化，降低線束成本及複雜度，通過硬體預埋和遠程軟體升級不斷為汽車全生命周期賦能。在走向最終的中央集成式架構過程中，

作者：英飛凌工業半導體       英飛凌最新推出的逆導型IGBT WR6經過優化，擁有極低的飽和壓降，同時WR6 IGBT技術拖尾電流很小，從而大大減小開關損耗。WR6 IGBT還引入了新的TO-247-3引腳分裝，增加了爬電距離和電氣間隙，是惡劣環境條件的應用場景中的高性價比解決方案，主要應用為

原作者：英飛凌汽車電子生態圈  摘要 功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標誌。然而，越熟悉越容易大意。從統計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。     一個有效的ESD防控方案必定是詳盡

原作者： 英飛凌汽車電子生態圈 電動汽車和自動駕駛正在重塑汽車行業的未來。車輛本身的特性和客戶的期望都發生了變化！與車外世界的互聯不再只是高檔車的功能，而是全球所有現代化汽車的基本要求。對汽車電子電氣架構EE而言，這意味著什麼？本文將從以下幾方面進行闡述： 汽車行業的發展趨勢如何影響EE架構 EE

作者：英飛凌官微 前文提要 在上一篇，也就是英領物聯繫列文章之四的《英領物聯 |要過上人類高質量生活，你只需要“連接”》一文中，揭示了英飛凌通過提供基於eSIM解決方案的安全蜂窩連接，以及Wi-Fi、藍牙、USB和USB-C產品，打造了幾乎涵蓋了所有連接的場景。今天，我們繼“連接”之後，進入物聯網的

作者：英飛凌工業半導體 Peter 翻譯: 趙佳 CoolSiC™ MOSFET集高性能、堅固性和易用性於一身。由於開關損耗低，它們的效率很高，因此可以實現高功率密度。但儘管如此，工程師需要了解器件的靜態和動態性能以及關鍵影響參數，以實現他們的設計目標。在下面的文章中，我們將為您提供更多關於這方面的

原作者： 英飛凌汽車電子生態圈 2022全球科技出行峰會 “動力電池線上論壇” 於6月15日線上舉辦。會上，行業內企業領袖、專家和投資者，共話動力電池產業現狀、發展預判、技術趨勢、投資實踐等。英飛凌科技大中華區高級總監、動力與新能源系統業務單元負責人仲小龍先生圍繞“電池管理系統助力汽車電動化“發表了

作者：英飛凌工業半導體 周利偉 在通用變頻器或伺服驅動器的設計中，經常會用到英飛凌的PIM模塊（即集成了二極體整流橋+剎車單元+IGBT逆變單元的模塊）。一般情況下PIM模塊中的整流二極體都是根據後面逆變IGBT的電流等級來合理配置的，且由於其多數都是連接電網工作於工頻50或60Hz工況，晶片結溫波