作者:英飛凌工業半導體
新品 | 採用增強型CoolSiC™ MOSFET(M1H)新一代碳化矽Easy模塊
受成品率限制,碳化矽晶片電流不宜做得太大,這樣大電流碳化矽MOSFET模塊,需要多晶片並聯。
Easy模塊適合內部晶片並聯和外部模塊並聯,因為靈活的引腳網格能夠降低柵極電感,實現柵極電感均等和非常對稱的內晶片布局,所以多晶片並聯特性很好。在設計電力電子系統時,又可以將多個Easy模塊並聯來實現更大的輸出功率。
如何實現完美的SiC MOSFET並聯設計?今天的視頻是碳化矽並聯課程的第一部分,介紹SiC MOSFET模塊並聯的目的以及柵極驅動器設計。
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