如何並聯CoolSiC™ MOSFET Easy模塊（第二部分）

作者：英飛凌工業半導體

SiC MOSFET以極低的損耗、良好的熱特性贏得了行業青睞，而極高的開關速度也令SiC難以駕馭，而如何並聯SiC模塊更是一個極具挑戰的任務。上一期的視頻介紹了SiC MOSFET模塊並聯的目的以及柵極驅動器設計，本期視頻將介紹功率布局和並聯均流。

參考閱讀

如何並聯CoolSiC™ MOSFET Easy模塊（第一部分）

具備出色穩定性的CoolSiC™ MOSFET M1H

如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響

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