自從 40 多年前，第一款開關電源問世以來，PCB 的布局就一直是電力電子設計中不可或缺的一環。無論採用哪種電晶體技術，我們必須理解和管理 PCB 布局產生的寄生阻抗，確保電路正確、可靠地運行，而且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。   儘管現代的寬禁帶功率半導體不像早期的矽技術那樣，存在嚴重的反

Vishay 推出一種用於工業、電腦、消費和移動應用領域的新型反射式光感測器。與上一代解決方案相比，Vishay Semiconductors 的 VCNT2030 更加節省空間，同時擁有更高的電流傳輸比（CTR）、更遠的傳感距離和更低的功耗，從而提高了性能。該產品配置了垂直腔表面發射雷射器（VCS

關於BRT的選用 可以參考前一章節PART1的選用來當成依據 但仍然有其他的電氣特性需要注意 耐電壓 應考慮的耐壓是關斷時施加在開關端子兩端的最大電壓以及最大和最小控制電壓。  1) 關斷時開關端子上的最大電壓（集電極-發射極的耐壓） 這定義為基極（B）打開時的集電極-發射極電壓（VCEO）。東芝的

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，515 mΩ典型值，7 A MDmesh K6功率MOSFET， 採用TO-220封裝 產品說明 這款超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計出的產品具有極

N溝道800V STPOWER MOSFET MDmesh™ K6系列，STPOWER MOSFET MDmesh K6系列採用DPAK封裝 產品說明 這種超高電壓N溝道功率MOSFET依託意法半導體20年的超結技術經驗，採用終極MDmesh™ K6技術設計而成。設計成果為最佳單位面積導通電阻和柵極

日本川崎-東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”） 今天宣布推出一種用於空調和工業設備大型電源的功率因數校正(PFC)電路[1]的650V分立式絕緣閘雙極型電晶體(IGBT)——GT30J65MRB。產品從今天開始量產出貨。 功率半導體元件經過業界驗證，對於節能具有重要意義，其中包括幫助實現碳中和

偏置電阻內置晶體管 (BRT)，也稱為數字晶體管，設計用作開關。 BRT 是一種包含串聯基極電阻器 (R1) 和基極-發射極電阻器 (R2) 的雙極晶體管，可以簡化板上電路設計。東芝半導體有一系列的BRT的產品可以選擇 以下為BRT的Lineup 關於BRT的選用 可以參考以下的選用來當成依據  以

650 V e模式功率GaN電晶體， 75 mOhm典型值，15 A，常關P柵極HEMT 產品說明 SGT120R65AL是一種650 V、15 A e模式PowerGaN電晶體，結合了成熟的封裝技術。由此產生的G-HEMT器件擁有極低的傳導損耗、高電流能力和超快的開關操作，以實現高功率密度和出眾的

隨著地球暖化的程度日趨嚴重，世界各國也為了延續地球的生命而早在好幾年前就開始大力推出各種可以減緩地球暖化的危機，其中一項就是“減碳”，減碳可以從大的能源排放到小的塑料製造，從民生燃料的角度來看，汽車汽油的使用為大宗之一，所以在特斯拉電動車一車突起的帶領下，世界各大車廠也不缺席這樣的綠能市場，紛紛的推