之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC™ MOSFET G2的產品特點及導通特性（參考閱讀：CoolSiC™ MOSFET Gen2性能概述，CoolSiC™ MOSFET G2導通特性解析）今天我們來分析一下在軟開關和硬開關兩種情境下，如何進行CoolSiC™ MOSFET G2的選型。
G2在硬切換拓撲中的應用
除了R導通電阻 (DS(on))開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往運作在非常高的開關頻率，特別是在硬開關拓撲中，開關損耗的比例可達60%以上。此時使用開關損耗更低的G2來取代G1，會帶來明顯的系統優勢。接下來我們透過MPPT boost電路的模擬實例來看一下。
模擬電路
26A MPPT 模擬條件：
仿真的邊界條件設定為Tvj,max<140℃，G2允許175℃的連續運行結溫，以及200℃/100小時的過載結溫，這裡預留了相當大的餘量。
使用40mΩ的G1對比40mΩ和53mΩ的G2，可以看到，40mΩ的G2總損耗與40mΩ的G1持平，但結溫高約1.9℃（112.1℃-->124℃）。如果使用53mΩ的G2，損耗會大幅增加，結溫上升到141.4℃。然而，G2允許使用更小的閘極電阻，如果將Rg降低到2.3Ω（數據手冊推薦值），則53mΩ的G2結溫會降低至137.1℃。
32A MPPT 模擬條件：
在這種應用情境下，34mΩ G2與40mΩ G1的損耗與結溫基本持平，如果改用40mΩ G2，結溫會上升約8℃。但這種結溫的上升可以透過降低閘極驅動電阻Rg來進行補償。將Rg從4.7Ω降低到2.3Ω，40mΩ G2的結溫將會降低到139.4℃，與40mΩ G1非常接近。
透過對MPPT系統的模擬分析，我們可以看到，在硬切換系統的應用中，由於切換損耗占比較高，導通損耗占比較低，G2對G1的替換策略取決於不同的場景：
1 在特定條件下（例如26A MPPT），可以使用相同導通電阻進行替換，比如用40mΩ G2替換40mΩ G1，可以維持相同的損耗與結溫。如果用34mΩ G2替換40mΩ G1，則可以降低系統損耗和元件溫度，進而提升功率密度並減少冷卻需求。
2 在某些情境下，例如更大電流的MPPT，或者buck-boost中，可以使用更低Rdson的G2來替換Rdson較高一級的G1。例如在32A MPPT中，可使用34mΩ的G2替換40mΩ的G1。也可以對G2採用更低的閘極電阻來降低損耗，在這種情況下可使用40mΩ的G2替換40mΩ的G1。
G2在軟開關拓撲中的應用
在LLC等軟開關拓撲中，由於能實現零電壓開通，因此功率元件只有導通損耗和關斷損耗，而沒有開通損耗。因此對LLC來說，導通損耗所占比重更大。
對20kW LLC典型工況進行模擬：
■MOSFET: IMZC120R034M2H / IMZA120R040M1H，4並
■最大輸出功率，P喔，最大值20千瓦
■共振頻率fr100kHz
■直流輸入電壓，V在800V
■直流輸出電壓，V外面300V
■死區時間，DT：300ns
模擬結果：
從模擬結果可以看出，導通損耗佔總損耗相當大的比例，因此：
■使用IMZC120R034M2H取代IMZA120R040M1H，可以使損耗和結溫維持在相同水平。
■使用IMZC120R026M2H取代IMZA120R030M1H，可降低3℃結溫
因此，在軟開關拓撲中，建議使用導通電阻稍低的G2，來替換導通電阻較高一級的G1。
以下是TO-247-4封裝的G2選型表供參考：
總結
R導通電阻是評估SiC MOSFET的重要考量，但並不是唯一的參數。在進行CoolSiC™ MOSFET G2產品選型時，不能單純依賴常溫下的R。導通狀態（DS開啟）數值，而是要綜合考慮電路拓撲、開關頻率、散熱條件等因素，最好透過模擬來確定最終選型。
參考閱讀
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