1200/650V E1B封裝工業級碳化矽功率模組
為了更好地滿足工業客戶對於高功率密度的需求，基本半導體開發推出了工業級全碳化矽MOSFET功率模組Pcore™2 E1B和Pcore™4 E1B該系列產品採用了Press-Fit壓接工藝、具備NTC溫度檢測以及高封裝可靠性的氮化矽（Si3N4）AMB基板等技術，在比導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色，可應用於大功率充電樁、有源電力濾波器（APF）、儲能變流器（PCS）、高端電焊機、數據中心UPS、高頻DCDC變換器等領域。
產品拓撲
產品特點
高晶圓可靠性
新型內部構造極大地抑制了碳化矽晶體缺陷引起的RDS(on)退化。
優異抗噪特性
寬柵-源電壓範圍（VGSS: -10V~+25V），以及更高的閾值電壓（VGS(th).typ = 4.0V），方便柵極驅動設計。
高熱性能及高封裝可靠性
高性能氮化矽AMB陶瓷基板及高溫焊料的引入，改善了溫度循環中的CTE失配，陶瓷板的可靠性大幅提升。
壓入式連接技術
整合NTC溫度感測器
應用優勢
低導通電阻
低開關損耗
提高系統效率，降低系統散熱需求
可提高開關頻率，以降低設備體積，提升功率密度
高閾值電壓，降低誤導通風險
應用領域
大功率充電樁
有源電力濾波器（APF）
儲能變流器（PCS）
高端電焊機
資料中心UPS
高頻DCDC轉換器
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