本篇幅主要為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化矽 (SiC) 等寬帶隙半導體器件用作電子開關的優勢，以及如何權衡利弊。主要權衡因素之一是開關損耗，開關損耗會被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長死區時間而造成功率損耗。本文介紹

搞電機應用或者電源應用的小夥伴基本都脫離不了半橋、全橋， 常見的半橋電路如下，由兩個 MOS 組成，Q1 的 D極連接了 VBUS ，S 極連接了Q2的 D 極，Q2 S 極連接到 GND ，中間 SW 引腳則接去電機或者電感。   MOS 是一個開關，由 GS 電壓控制開關和導通，由於 MOS 開

【前言】 在現代工業的各種應用中，經常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT…) 當作輸出的驅動電路，其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的拓樸—可以是全橋也可以是半橋。 這樣的拓樸在上下交替導通的期間，可能會因為各種延遲的關係而產生極為短暫的短路現象，輕則損耗變高、元件發熱、

PWM介紹（二） CMP值1/CMP值2（軟體）         比較值與硬體Compare Type選項一起定義比較輸出功能。         比較值受PWM解析度的上限限制。對於8位PWM，比較值的最大值為255。否則，比較值的最大值為65535。可以隨時通過調用PWM_WriteCompare