【大大魚乾的類比電源講堂】--11. Infineon IGBT 的死區計算

【前言】

在現代工業的各種應用中,經常使用帶有功率元器件(MOFET、IGBT…) 當作輸出的驅動電路,其中最常見、也最容易造成問題的不外乎就是會上、下交替導通的拓樸—可以是全橋也可以是半橋。

這樣的拓樸在上下交替導通的期間,可能會因為各種延遲的關係而產生極為短暫的短路現象,輕則損耗變高、元件發熱、效率降低,重則整個裝置燒毀。

本文旨在針對IGBT 在高端(HS)與低端(LS)串聯的拓樸應用中,計算出適當的開關緩衝區、也就是死區(deadtime)。

 

魚乾我之前有一篇博文:

8.Infineon IGBT的選型與應用之1

https://www.wpgdadatong.com/tw/blog/detail/70496

有說明IGBT 模組的相關選型,本篇藉由模組內的單體元件來說明死區的計算:

 

死區對逆變器(Inverter)的影響

為了說明死區時間的影響,如下圖所示:

假設輸出電流先沿圖中藍字所示的方向流動,則 IGBT T1 從ON切換到OFF,而 IGBT 在短暫的死區時間後,T2 從 OFF 切換到 ON。

在有效死區時間內,兩個器件都OFF,續流二極管 D2 傳導輸出電流、繼續向輸出施加負直流母線電壓。

此時需要考慮另一種情況:

T1 從 OFF 切換到 ON,T2 從 ON 切換到 OFF,由於輸出電流同向流動,D2 在死區時間內仍導通電流。

此時會造成T1 與T2 有短路的現象,在有效死區時間內,輸出電壓由輸出電流的方向決定,而不是由控制信號決定。 

考慮到輸出電流流向與圖相反的方向,電壓將在T1從ON切換到OFF,T2從OFF切換到ON時出現。

對於電感性的負載(馬達),選擇過大的死區時間會導致系統不穩定和災難性後果,因此,決定適當死區時間的過程是有其必要的。

  • 死區的計算(Dead-time calculation)

死區的計算公式如下:

 

  • td_off_max is the maximum turn-off delay time
  • td_on_min, minimum turn-on delay time
  • tpdd_max, maximum propagation delay of driver
  • tpdd_min, minimum propagation delay of driver
  • 1.2 safety margin value to be multiplied(1.2倍的安全餘裕值)
  • 開關和延遲時間的定義:

td(on): from 10% of VGE to 10% of IC

tr: from 10% of IC to 90% of I

td(off): from 90% of VGE to 90% of I

tf: from 90% of IC to 10% of IC

  

  • 柵極電阻/驅動器輸出阻抗的影響

柵極電阻的選擇對開關延遲時間有重大影響,一般來說,電阻越高,延遲時間越長。

建議在應用中使用專用柵極電阻來測量延遲時間。

下圖分別顯示了開關時間與柵極電阻在不同溫度下的典型曲線圖。

  

  • 其他參數對延遲時間的影響

除柵極電阻值外,以下參數對延遲時間也有顯著影響:

  1. 集電極電流
  2. 柵極驅動電源電壓 
  • 導通延時Turn on delay time

導通延時與集電極電流之間的關係:

  • 關斷延時Turn off delay time

死區時間計算中最重要的因素是最大關斷延遲時間,該值決定了最終計算出的死區時間的完整長度。

要獲得最大關斷延遲時間,應考慮以下條件:

步驟1:

IGBT器件本身引起的導通延遲時間持續多長時間?

測試是基於實驗室的理想驅動板進行的,這意味著它不會導致延遲(最有可能是超大驅動器)。

因此,整個延遲時間都歸因於IGBT器件本身,如下圖所示:

步驟2

當IGBT的臨界值於數據表中的最小值時,最大關斷延遲時間是多少?

(這反映了模塊之間的 Vth 誤差)

連接一個額外的二極管來模擬 Vth 壓降,二極管的壓降約為 0.7–0.8 V,這與 FP40R12KT3 模塊的 Vth 非常相似,如下圖所示:

 

步驟3

驅動器輸出級如何影響開關時間?

市場上的驅動器分為兩類:MOSFET輸出和雙極晶體管(BJT)輸出。

連接一個附加電阻器(Rg)以模擬具有 MOSFET 輸出級的驅動器,該電阻被認為是 MOSFET 晶體管的導通電阻 Rds(on)、還有用於模擬 Vth 變化的二極管。

如下圖所示:

 

步驟4

具有雙極晶體管輸出級的驅動器有何影響?

連接一個額外的二極管來模擬輸出級中雙極晶體管(BJT)的壓降,如下圖所示:

 

  • 死區時間減少

要精確計算控制死區時間,請考慮以下驅動條件:

  1. 施加到 IGBT 的柵極電壓是多少?
  2. 選擇的柵極電阻值是多少?
  3. 驅動器有什麼類型的輸出級?

由於死區時間會影響逆變器性能,因此應將其保持在最低限度。 有幾種方法可用,下面列出了其中一些:

  1. 選擇足夠強大的驅動器來降低或產生峰值 IGBT 柵極電流
  2. 使用負電源加速關斷
  3. 優先採用基於高速信號傳輸技術的驅動器,例如磁藕合無線傳導技術,而不是傳統光耦合器技術的驅動器
  4. 將單獨的 Rgon/Rgoff 電阻器用於柵極驅動器

如下圖所示:

 

本文僅舉出了有關於計算死區的幾個重要事項與說明,更詳細的理論與驗證法請參考下列所引用的應用筆記。

<本篇完>

✽以上圖文引用自Infineon 官網

參考文獻:

Deadtime calculation for IGBT Modules

  • AN2007-04:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Deadtime_calculation_for_IGBT_modules-ApplicationNotes-v01_10-EN.pdf?fileId=db3a30431a5c32f2011a5daefc41005b

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