作者：英飛凌工業半導體
CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由於採用了.XT互聯技術，CoolSiC™技術的輸出電流能力強，可靠性提高。
產品型號：
▪️ IMYH200R012M1H
▪️ IMYH200R024M1H
▪️ IMYH200R050M1H
▪️ IMYH200R075M1H
▪️ IMYH200R0100M1H
產品特點
▪️ VDSS=2000V，可用於最高母線電壓為1500VDC系統
▪️ 開關損耗極低
▪️ 創新的HCC封裝
▪️ 針腳間爬電距離為14毫米
▪️ 5.4毫米電氣間隙
▪️ 柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V
▪️ 用於硬換流的堅固體二極體
▪️ .XT互聯技術可實現同類最佳的散熱性能
▪️ 高耐濕性
應用價值
▪️ 市場上首款分立式碳化矽MOSFET器件，阻斷電壓高達2000V
▪️ 1500V的DC的變流器可以用兩電平實現
▪️ 與1700V SiC MOSFET相比，1500 VDC系統具有足夠的過壓裕量
▪️ 創新的TO-247封裝，具有高爬電距離和間隙
應用領域
▪️ 光伏逆變器
▪️ 儲能系統
▪️ 電動汽車充電
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