作者：英飛凌工業半導體 CoolSiC™ 2000V SiC MOSFET系列採用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由於採用了.XT互聯技術，CoolSiC™技術的輸出電流能力強，可靠性提高。 產品型號： ▪️ IMYH200R012M1H ▪️ IMYH200R024M

作者簡介作者：Omar Harmon， Zhenbo Zhao， Lukas Hein 翻譯：Zhao Kai / 摘要 / 今天，功率半導體為很多應用提供高功率密度的解決方案。 如何將功率器件的發熱充分散出去是解決高功率密度設計的關鍵。 通過使用IGBT焊接在雙面覆銅陶瓷板（DCB）上可以幫助減少