作者： 英飛凌工業半導體
又有一批12個不同型號的EasyPACK™和EasyDUAL™ 1B和2B CoolSiC™ MOSFET模塊上市，他們採用CoolSiC™ MOSFET增強型1代，適用於電動汽車充電、UPS和光伏、儲能。
這些模塊採用PressFIT壓接技術並帶NTC溫度檢測，有Al2O3/AlN DCB兩種版本，型號中帶P的是預塗TIM材料。
產品型號
F4-8MR12W2M1H_B70
8毫歐 H橋 AlN DCB
F4-8MR12W2M1HP_B76
8毫歐 H橋TIM
F4-11MR12W2M1H_B70
11毫歐 H橋 AlN DCB
F4-11MR12W2M1HP_B76
11毫歐 H橋 TIM
F4-33MR12W1M1H_B76
33毫歐 H橋
F4-17MR12W1M1H_B76
17毫歐 H橋
F4-17MR12W1M1HP_B76
17毫歐 H橋 TIM
F3L11MR12W2M1HP_B19
11毫歐 T-三電平 TIM
FF11MR12W2M1H_B70
11毫歐 半橋 AIN DCB
FF11MR12W2M1HP_B11
11毫歐 半橋 TIM
FS13MR12W2M1H_C55
13毫歐 三相橋 AIN DCB
FS13MR12W2M1HP_B11
13毫歐 三相橋 TIM
應用價值
• 擴展了柵源電壓最大值：+23V到-10V
• 在過載條件下，Tvjop最高可達175°C
• 最佳的性價比，可降低系統成本
• 可工作在高開關頻率，並改善對冷卻要求
競爭優勢
• 完整的半橋SiC模塊產品組合，包括標準Al2O3 DCB和低熱阻高性能AIN DCB
應用領域
• 電動汽車充電
• 儲能系統
• 光伏
• UPS
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