作者：英飛凌工業半導體
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採用2000V SiC M1H晶片的62mm半橋模塊，最大規格2.6mΩ
2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ兩種規格。由於採用了M1H晶片技術，模塊在 VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方面性能得到了改善。
這些模塊還提供預塗導熱界面材料（TIM）版本。
相關產品：
▪️ FF3MR20KM1H(P) 2.6mΩ，
2000V 62mm半橋模塊
▪️ FF4MR20KM1H(P) 3.5mΩ，
2000V 62mm半橋模塊
(P)為預塗導熱界面材料（TIM）版本
產品特點
集成體二極體，優化了熱阻
最高的防潮性能
卓越的柵極氧化層可靠性
抗宇宙射線能力強
應用價值
• 按照應用苛刻條件優化
• 更低的電壓過沖
• 導通損耗最小
• 高速開關，損耗極低
• 對稱模塊設計實現對稱的上下橋臂開關行為
• 標準模塊封裝技術確保可靠性
• 62毫米高產量生產線的生產
競爭優勢
• 通過碳化矽擴展成熟的62毫米封裝的產品，以滿足快速開關要求和低損耗的應用
• 電流密度最高，防潮性能強
應用領域
• 儲能系統
• 電動汽車充電
• 光伏逆變器
• 牽引
• UPS
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