作者：英飛凌工業半導體 新品 採用2000V SiC M1H晶片的62mm半橋模塊，最大規格2.6mΩ   2000V的62mm CoolSiC™ MOSFET半橋模塊現已上市，有2.6mΩ和3.5mΩ兩種規格。由於採用了M1H晶片技術，模塊在 VGS(th)、RDS(on)漂移和柵極驅動電壓窗口方