ST 法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋晶片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN電晶體(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功能，以及在啟動時為器件供電的集成式自舉二極體。集成這些功能省去了設計者處理GaN電晶體柵極驅動開發難題。這兩款產品採用緊湊的電源封裝，提高了可靠性，減少了物料成本，簡化了電路布局。
這兩款新器件內置兩個連接成半橋的GaN HEMT電晶體，這種配置適合開發採用有源箝位反激式轉換器、有源箝位正激式轉換器或諧振式轉換器拓撲的開關式電源、適配器和充電器。MasterGaN1L和MasterGaN4L分別與MasterGaN1和MasterGaN3引腳兼容。與早期的產品相比，新產品重新優化了導通時間，支持更高的開關頻率，在低負載的情況取得更高的能效，能效提高在諧振拓撲中尤為明顯。
輸入引腳接受3.3V至15V的信號電壓，輸入滯後和下拉電阻有助於輸入直連控制器，例如，微控制器、DSP信號處理器或霍爾效應傳感器。專用關斷引腳有助於設計者節省系統功率，兩個GaN HEMT電晶體的時序匹配精準，集成一個互鎖保護電路，防止橋臂上的開關管交叉導通。
MasterGaN1L HEMT的導通電阻RDS(on)為150mΩ，額定電流為10A，適合最高功率500W的應用。空載功耗只有20mW，支持高轉換效率，使設計者能夠滿足行業嚴格的待機功耗和平均能效目標。MasterGaN4L HEMT定位最高功率200W的應用，導通電阻RDS(on)為225mΩ，額定電流為6.5A。
EVLMG1LPBRDR1和EVLMG4LPWRBR1演示板現已上市，有助於開發者評估每款產品的功能。這兩塊板子集成一個針對LLC應用優化的GaN半橋功率模組，方便開發者利用MasterGaN1L和MasterGaN4L器件快速創建新的拓撲結構，而無需使用完整的PCB設計。
這兩款器件均已量產，採用9mm x 9mm x 1mm GQFN封裝。
詳情訪問 www.st.com/mastergan1l 。
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