1.氮化鎵GaN按照製造工藝，可以分為常開的耗盡型（D-mode）和常關的增強型（E-mode）兩種類型, ST 氮化鎵GaN 是E-mode (P-GaN) 工藝，以下的討論都基於P-GaN 。 在電源系統中，對於所有的功率器件，選擇正確的柵極驅動電路及進行合理設計，是實現電源系統最佳性能和增強

NCP51820高速柵極驅動器設計用於滿足駕駛增強模式（e-mode）的嚴格要求， 高電子遷移率電晶體（HEMT）和 柵極注入電晶體（GIT）， 氮化鎵（GaN）電源開關處於斷開狀態， 半橋功率拓撲。 NCP51820提供短和 匹配的傳播延遲與先進的電平偏移技術，提供−3.5 V至+650 V（典型

自從 40 多年前，第一款開關電源問世以來，PCB 的布局就一直是電力電子設計中不可或缺的一環。無論採用哪種電晶體技術，我們必須理解和管理 PCB 布局產生的寄生阻抗，確保電路正確、可靠地運行，而且不會引起不必要的電磁干擾（EMI）。   儘管現代的寬禁帶功率半導體不像早期的矽技術那樣，存在嚴重的反

用於非互補有源鉗位反激式轉換器的同步整流控制器 產品說明 • SRK1004：是一款適用於有源鉗位反激式、諧振反激式和准諧振反激式轉換器的次級側同步整流 (SR) 控制器。該產品能夠管理高壓檢測，其漏源電壓為190V。 • SRK1004的主要特性包括： 　- 緊湊性：採用DFN 2x2超小型封裝，

BMS 俗稱電池保姆或電池管家，主要是為了智能化管理及維護各個電池單元，防止電池出現過充電和過放電，保障電池安全使用的同時延長使用壽命。 當前市面上出現的電池管理系統大多數採用 Si MOS，由於 Si MOSFET 具有寄生二極體，必須成對使用，才能進行充電電流、放電電流的控制。 針對 BMS 應

隨著液晶螢幕技術的成熟，越來越多超薄TV電視在市場湧現，既美觀又輕便，同時能夠提供超清畫質。 常見的超薄電視厚度在20毫米左右，但需要外置電源板，不僅占用空間，還增加了廠商的附屬件成本。 因此，更輕薄、更高效的TV電源成為市場所需。   英諾賽科推出300W超薄TV電源參考設計，內置4顆 700V

ST 法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋晶片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。 意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN電晶體(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功

Layout設計中的幾個關鍵步驟是布局、走線、鋪銅、散熱，英諾賽科高壓單管GaN的Layout設計也不例外。 反激拓撲是高壓單管GaN的典型應用，快充場合常用。該拓撲在地線的處理上都需特別注意，如下圖所示，Layout時輔助繞組地、IC信號地功率地在bulk電容處匯合，避免IC地受干擾導致驅動振盪。

1. 前言                由於電力電子、數位控制及電池技術的進步，促使再生能源、儲能系統及新能源應用等產業的蓬勃發展。例如 : 電動汽車的電能系統、對電力系統用電進行削峰填谷和調節電力的儲能系統、應急電源及可攜式行動電源 … 等。這些設備都需要雙向電力轉換系統在電力系統與電池系統間進

產品說明 EVSTGAP2GSN是一個半橋評估板，設計用於評估STGAP2GSN隔離單柵極驅動器。STGAP2GSN柵極驅動器具有2A源極和3A漏極能力以及軌對軌輸出，使該設備也適用於中高功率逆變器應用，如工業應用中的功率轉換和電機驅動逆變器。該器件允許通過使用專用柵極電阻器來獨立地優化導通和關斷。