ST 法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋晶片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。 意法半導體的MasterGaN產品家族集成兩顆650V高電子遷移率GaN電晶體(HEMT)與優化的柵極驅動器、系統保護功

ST 推出的 STDES-200GANADP 是一款 19 V 輸出的 200 W 轉換器，採用臨界模式 PFC 和 LLC 諧振半橋轉換器的設計架構。PFC 和 LLC 控制器集成在 IC STCMB1 中。並透過高度集成的 MASTERGAN1 減少開關和傳導損耗以及消除了反向恢復損耗，以確保

前面給大家介紹過，ST-ONE,這款晶片； ST-ONE 通過電隔離把一次側和二次側融合在一起一款晶片。一次側包括ACF（Active Clamp Flyback）控制和高壓啟動；二次側包括同步整流SR，負載控制Load Switch，以及USB-PC QC control晶片.One, One 擁

氮化鎵是電力電子的未來,意法半導體在通過碳化矽（SiC）MOSFET和SiC二極體的寬頻隙（WBG）材料方面積累了豐富的經驗。我們現在正在通過開發在矽襯底上生長的氮化鎵，在智慧電源集成方面邁出下一步。GaN材料的電子遷移率非常高，使器件具有非常低的導通電阻和極高的開關頻率，這是下一代電源系統設計的關