onsemi第三代半導體 WBG

onsemi 第三代寬能帶半導體:碳化矽 (SiC):

支援寬能帶電源設計的完整元器件生態系統，包括SiC二極體、SiC MOSFET和SiC 模組。

碳化矽 (SiC)技術優勢：

與矽器(Si)件相比，SiC器件的介電擊穿場強高10倍，電子飽和速度高2倍，能帶隙高3倍，熱導率高3倍。

極高可靠性。

安森美SiC 器件具有專利的終端結構，可在惡劣的環境條件下提供卓越的極高可靠性如H3TRB驗證。

 

H3TRB Testing (High Temp/Humidity/Bias), 85C/85% RH/85% V (960V)

穩健性：

安森美肖特基SiC二極體在漏電流方面始終保持同類最佳的性能。

堅固性：

SiC二極體強固性 – 浪湧和雪崩