1. 前言 在連續導通模式（CCM）的 Boost PFC 電路設計中，採用 Si MOSFET 可能會遇到以下幾項主要挑戰： 在 CCM 模式下，Si MOSFET 的開關頻率通常較高（>50kHz），導致開通與關斷時的開關損耗較大，特別是在高電壓應用（如 400V DC 輸出）中，進一步影響整體

前言 CSA 定義： Current Sense Amplifiers (CSA) 是專門設計用於檢測並放大流經分流電阻的小電壓差的放大器。 電流感測放大器（Current Sense Amplifiers），例如 NCS21xR 和 NCS199AxR 系列，也被稱為電流分流監測器或電流分流放大器

隨著Al工作負載日趨複雜和高耗能，能提供高能效並能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。我們將詳細介紹安森美(onsemi)SiC cascode JFET，內容包括Cascode（共源共柵）關鍵參數和並聯振盪的分析，以及設計指南。本文為第一篇，聚焦Cascode產品介紹、Cascode背景

1. 前言 熱插拔（Hot-Swap）技術正隨著市場需求和技術發展不斷演進。隨著低功耗技術的進步，許多設備的工作電壓已降至 12V、19V、24V，甚至 USB-C（5V/9V/20V）。 這一趨勢推動了熱插拔技術在工業與自動化設備中的應用，特別是在智能製造（Industry 4.0）領域，促進了以

解密FS7“附體”的超能力 眾所周知，IGBT是一種廣泛應用於電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）和雙極結型電晶體（BJT）的優點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區引入一個場截

      1.概述 NCP81295和NCP81296是50A的電子可重置直通保險絲，適用於12V高電流應用，如伺服器、存儲和基站。這些保險絲集成了低電阻的MOSFET和高精度電流傳感器，用於監控和過載保護。       2.特性 電源特性：   - 共封裝電源開關、熱插拔控制器和電流傳感器  

眾所周知，IGBT是一種廣泛應用於電力電子領域的半導體器件，結合了金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）和雙極結型電晶體（BJT）的優點，具有高輸入阻抗和低導通電壓降的特點。而安森美的Field Stop技術則是IGBT的一種改進技術，通過在器件的漂移區引入一個場截止層來優化其性能，實現更低的

隨著開關電源的廣泛應用，開關電源的整流和濾波過程會產生大量的高次諧波，導致電流波形嚴重畸變，進而引起電磁干擾（EMI）和電磁兼容（EMC）問題。因此，功率因素校正(PFC)技術應運而生。  PFC技術旨在校正電流波形，使其與電壓波形保持同相，從而提高功率因子和減少諧波干擾。另一方面，電源供應器通常需

汽車行業正經歷一場深刻的變革，滿足功能安全要求和軟體定義車輛SDV標準成為行業共識，這不僅改變了汽車製造商(OEMs) 的設計和製造方式，也為推動汽車產業向智能化、網聯化轉型提供了新的思路。近日，安森美(onsemi) AMG汽車市場營銷經理Qing Zhang在出席第33屆DVN照明展會時，詮釋了

在當今技術驅動的時代，電子設備的互操作性至關重要。從汽車 ADAS（先進駕駛輔助系統）到數據中心和工業自動化，現代電子電路必須能夠支持各種組件之間的高速通信。 高速邏輯電平轉換器（有時稱為電壓轉換器或電平移位器）在現代電子設備中不可或缺，它們使得在不同電壓水平下工作的器件之間能夠實現無縫通信。然而，