1).總體框圖
LED照明電源電路詳圖（1）
↑設備選擇標準
-MOSFET適用於全開關解決方案
-微型計算機可用於PFC控制。
#東芝的提案
-DTMOS VI系列功率MOSFET_適用於高效電源切換
LED照明電源電路的細節（2）
↑設備選擇標準
-通過使用具有低導通電阻和高散熱效率的MOSFET，可以實現具有低發熱和低功耗的器件。
-通過採用小封裝可以減小電路板面積。
#東芝的提案
-具有低導通電阻和高散熱效率的MOSFET, U-MOS系列MOSFET（溝槽型）
2).滿足客戶需求的設備解決方案
如上所述，為了設計LED照明，“高效率”，“低功耗/機組低發熱”和“電路板的小型化”
是重要的因素。 東芝的建議基於這三個解決方案的觀點。
LED照明電源電路詳圖（1）
↑設備選擇標準
-MOSFET適用於全開關解決方案
-微型計算機可用於PFC控制。
#東芝的提案
-DTMOS VI系列功率MOSFET_適用於高效電源切換
LED照明電源電路的細節（2）
↑設備選擇標準
-通過使用具有低導通電阻和高散熱效率的MOSFET，可以實現具有低發熱和低功耗的器件。
-通過採用小封裝可以減小電路板面積。
#東芝的提案
-具有低導通電阻和高散熱效率的MOSFET, U-MOS系列MOSFET（溝槽型）
2).滿足客戶需求的設備解決方案
如上所述，為了設計LED照明，“高效率”，“低功耗/機組低發熱”和“電路板的小型化”
是重要的因素。 東芝的建議基於這三個解決方案的觀點。
3).東芝DTMOS 6代系列功率MOSFET
Ron×Qgd性能指標降低40％（與常規產品相比），從而提高了電源效率。
-通過使用單個外延工藝和結構優化（與東芝的DTMOSIV-H 600 V產品相比），性能指標Ron×Qgd降低了40％。 通過實現低Ron×Qgd，可以減少器件的開關損耗並提高電源效率。
RonA減少18％
-最新一代DTMOSVI的性能指標RonA,與上一代產品相比降低了18％（與東芝的DTMOSIV 650 V產品相比）。 與前幾代產品相比，在確保高電壓的同時實現了低導通電阻，從而有助於提高設備效率。
4).東芝U-MOS 9代系列功率MOSFET
通過提供超低導通電阻類型和高散熱封裝（DSOP Advance）的陣容，有助於降低系統的熱量產生。
a.低導通電阻
-通過將漏源電阻保持在較低水平，可產生熱量和可以降低功耗。 提供的產品具有0.36mΩ的超低電阻
b.小Qoss
-由於較小的Qoss，導致較低的輸出損耗。 性能指標Ron×Qoss比競爭對手的下一代產品低63％
c.各種包裝
-添加了行業標準封裝的SOP Advance，並提供了相同佔地面積上的雙面散熱封裝的DSOP Advance。
